石墨烯微觀形貌的STM研究.pdf

1、石墨烯是一種單原子層的二維材料，其獨(dú)特電子學(xué)性質(zhì)引起了廣泛的研究興趣。但石墨烯為沒有帶隙的半金屬，因此在納米電子學(xué)器件的應(yīng)用受到限制。為了打開石墨烯的帶隙，研究者們付出眾多努力，其中最常見的就是人為引入缺陷結(jié)構(gòu)破壞石墨烯原有的對稱性，從而有效調(diào)控石墨烯電子性質(zhì)。以銅作為基底的化學(xué)氣相沉積法(CVD)是目前制備石墨烯的重要方法和手段，同時(shí)掃描隧道顯微鏡(STM)原子級分辨可以用于表征金屬襯底上石墨烯的微觀形貌。
　　第一章首先介紹了

2、石墨烯的結(jié)構(gòu)以及獨(dú)特電子學(xué)性質(zhì)，并簡要說明了石墨烯幾種常見的制備方法。第二章介紹了常用的表征石墨烯的實(shí)驗(yàn)測量手段，重點(diǎn)介紹了本實(shí)驗(yàn)中用于原子級形貌表征的STM的發(fā)明，發(fā)展和工作原理。第三章展示了石墨烯體系準(zhǔn)一維條紋結(jié)構(gòu)，主要分析了周期1.28nm的直線型邊界以及周期為1.2nm的鋸齒型邊界條紋結(jié)構(gòu)，揭示了其成因是石墨烯的六角晶格與銅襯底的四方結(jié)構(gòu)不匹配形成的超晶格，相應(yīng)的STS譜（微分電導(dǎo)譜）發(fā)現(xiàn)莫爾條紋的形成使得銅襯底與石墨烯的層間耦