PDP鋁摻雜氧化鎂介質(zhì)層的研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩73頁未讀 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、等離子顯示器(PDP)具有色彩逼真、屏幕大、視角寬、亮度高、響應(yīng)速度快及清晰度高等特點(diǎn),在眾多顯示器件中脫穎而出,成為高清晰度大屏幕電視及顯示終端的最佳候選者之一,但由于其功耗大、成本高,制約了PDP的進(jìn)一步發(fā)展。改善PDP介質(zhì)層的性能,是提高PDP放電效率和降低功耗的重要途徑,其方法主要有在MgO介質(zhì)層中摻雜其他材料、尋找新材料代替MgO等。結(jié)合國內(nèi)外相關(guān)研究成果,本文提出了在MgO中摻雜Al的方法,來實(shí)現(xiàn)改善PDP介質(zhì)層性能的目的。

2、本文的主要內(nèi)容及結(jié)論:
  1、用水熱法制備了鋁摻雜氧化鎂粉末,用SEM和XRD對鋁摻雜氧化鎂粉末的形貌和晶相進(jìn)行了表征,對鋁摻雜氧化鎂粉末的制備方法進(jìn)行了優(yōu)化,制備出了形狀規(guī)則、粒徑大于5μm的立方體狀鋁摻雜氧化鎂粉末。
  2、探索了直接沉淀法和金屬醇鹽水解法制備鋁摻雜氧化鎂粉末,用 SEM和XRD對鋁摻雜氧化鎂粉末的形貌和晶相進(jìn)行了表征。直接沉淀法制備鋁摻雜氧化鎂的缺點(diǎn)是,鋁摻雜量大于1%時(shí)無法使鋁完全摻入到MgO晶格

3、中,且直接沉淀法無法制備出立方體狀顆粒。金屬醇鹽水解法制備鋁摻雜氧化鎂的缺點(diǎn)是,金屬醇鹽溶液難以制備,鋁摻雜量難以控制,制備時(shí)間周期長,且不適合大規(guī)模生產(chǎn)。
  3、測試了鋁摻雜氧化鎂介質(zhì)層PDP的放電電壓性能。水熱法制備的鋁摻雜氧化鎂粉末,當(dāng)鋁摻雜量不超過3%時(shí),PDP的著火電壓與維持電壓可分別降低16.3%和15.7%。沉淀法制備的鋁摻雜氧化鎂粉末,只有當(dāng)鋁摻雜量不超過1%時(shí),PDP的放電電壓有所降低,著火電壓和維持電壓可分別

4、降低9.4%和8.6%。
  4、研究了鋁摻雜氧化鎂介質(zhì)層PDP的放電延遲時(shí)間。不同鋁摻雜量的鋁摻雜氧化鎂介質(zhì)層PDP的放電延遲時(shí)間,均少于具有純氧化鎂介質(zhì)層的PDP,延遲時(shí)間的減少值在幾十納秒到150納秒之間,且隨著鋁摻雜量的增加,放電延遲時(shí)間縮短,隨著放電氣體中Xe比例的增加,放電延遲時(shí)間也縮短。
  5、設(shè)計(jì)和制作了兩種PDP放電測試用驅(qū)動電源。一種是利用一個(gè) MOSFET作為開關(guān)管,開關(guān)頻率為50kHz、脈沖占空比為

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論