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文檔簡(jiǎn)介
1、介質(zhì)/金屬/介質(zhì)多層薄膜(D/M/D),既具有較好的光學(xué)性能和電學(xué)性能,又能保證制備過程及工藝的簡(jiǎn)單與環(huán)保,因此可以作為新型透明導(dǎo)電電極,替代目前雖被廣泛應(yīng)用但具有一定毒性且成本較高的ITO膜。但在實(shí)際應(yīng)用中,還需要進(jìn)一步改善介質(zhì)/金屬/介質(zhì)多層復(fù)合膜的光透過率和導(dǎo)電性能,才能使其得到廣泛應(yīng)用。本文先制備TiO2/Ag/TiO2復(fù)合薄膜,再采用氬等離子體輻照的方式,來提高TiO2/Ag/TiO2復(fù)合膜系的光電性能。圍繞該主題,本文主要開
2、展以下工作:
首先,本文采用真空蒸發(fā)鍍的方法制備納米Ag薄膜,再使用氬等離子體輻照Ag膜。之后測(cè)試氬等離子體輻照對(duì)薄膜表面形貌、可見光波段吸收譜及薄層電阻的影響。結(jié)果表明氬等離子體輻照可以明顯提高納米Ag薄膜的導(dǎo)電性,甚至使原來不導(dǎo)電的納米Ag薄膜具有導(dǎo)電性。同時(shí),氬等離子輻照還可以在一定程度上提高Ag膜的光透過率。氬等離子體輻照提高Ag膜的光電性能之后,Ag膜更適合作為TiO2/Ag/TiO2復(fù)合薄膜的中間膜層。
3、然后,利用真空蒸發(fā)鍍膜沉積TiO2/Ag/TiO2復(fù)合薄膜,通過控制Ag和TiO2的膜層厚度制備出具有高導(dǎo)電性和高透過率的透明導(dǎo)電薄膜。并使用氬等離子體輻照TiO2/Ag/TiO2薄膜中的Ag膜層,進(jìn)一步提高TiO2/Ag/TiO2薄膜的光透過率及導(dǎo)電性。最后結(jié)合SEM圖像分析了氬等離子體輻照對(duì)此類“三明治”結(jié)構(gòu)復(fù)合薄膜光電性能的具體作用和影響。結(jié)果表明采用本文氬等離子體輻照方法處理之后的TiO2/Ag/TiO2復(fù)合膜擁有良好的導(dǎo)電性和
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