全濕法制備PLED的研究.pdf

1、中圖分類號：xxxxUDC：XXXX學校代碼：XXXX密級：公開北京交通大學碩士學位論文全濕法制備PLED的研究TheStudyOntheAllSolutionProcessedPLED作者姓名：徐永彥導師姓名：梁春軍學位類別：理學學號：09122182職稱：副教授學位級別：碩士學科專業(yè)：凝聚態(tài)物理研究方向：光電材料與器件北京交通大學2011年6月中文摘要摘要：在一開始，OLED就被公認為一項非常具有前景的顯示技術(shù)，不論是小分子還是高分

2、子器件，都有著非常重要的科研和應用價值。在導電聚合物中，聚(3，4一二氧乙基噻吩)／聚苯乙烯磺酸已經(jīng)廣泛的應用于0LED器件的制備中。而本文則引入“全濕法“這一制備0LED器件的工藝流程，簡化制備程序，縮短制備時間，同時研究修飾層對器件的影響，提高器件的發(fā)光效率。本文的具體工作分為以下三個部分：一、用Al做陰極，通過研究PFO退火溫度和退火時間對PFO薄膜形貌的影響來提高PFO的發(fā)光強度和效率。退火溫度范圍70度到180度，發(fā)現(xiàn)PFO的

3、發(fā)光強度和效率隨著退火溫度的升高而升高，用偏光顯微鏡觀察PFO的形貌，發(fā)現(xiàn)PFO的形貌呈現(xiàn)一定的規(guī)律。而當溫度高到200度的時候，器件發(fā)生短路現(xiàn)象。二、鑒于摻雜后的PEDOT：PSS水溶液的電導率已經(jīng)提高到了1000S／cm以上，基本滿足了它作為陽極導電聚合物的材料，可以作為陽極用在OLED器件上，用以替代Al電極，而此時的ITO為陰極。我通過滴涂的方法在器件上制備PEDOT：PSS薄膜，而器件其他膜層的制備則是通過旋涂的方法完成。整個

4、制備過程沒有用到蒸鍍方法，工藝簡單，時間短，這也就是我所說的“全濕法“工藝。同時也研究過用更簡單的旋涂的方法制備PEDOT：PSS陽極材料，不過效果不好。三、將Cs2C03薄膜插入到MEHPPVOLED中陰極或陽極位置，正反電壓下器件都存在發(fā)光特性，且亮度和效率還不錯。而反向電壓下，器件的亮度和電流都隨時間表現(xiàn)出LEC的特性。我們認為在加入了Cs2C03的MEHPPV發(fā)光器件后，這個器件變成了LEC器件，Cs2C03在這罩開始充當了一個