版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文PSD特性研究及陣列器件研制姓名：陳冬嚴(yán)申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：光學(xué)工程指導(dǎo)教師：林斌20050121浙江大學(xué)碩卜學(xué)位論文AbstractPositionSensitiveDetector(PSD)isaphotoelectricdeviceutilizingthelateralphotoelectriceffect.PSDhastheadvantagessuchashigherresolutionfastrespo
2、nsespeedandsimpleperipheralcircuitandissuitablefortheprecisemeasurementofpositiondistance.displaceangleandotherrelevantphysicalvariable.InthefirstsectiontherecentdomesticandoverseasR&Dandapplicationconditionsandthetradit
3、ionaltheoryaboutPSDareintroduced.Basedonthesecalculationsitisfoundedthatthedelaytunewhentheelectrodebegintoresponseispositivelyrelatedwiththedistancebetweenthepositionwhereexcitationsilluminatedandthegeometricalcenterof1
4、DPSD.itisalsopointedoutthatwhenutilizedinhighspeedtransientdetectionmodulationrateis1(3.75Te).Finallytheconclusiontheu即erlimitofexcitingbeamthatPSDpositionresponseisbarycenteroftheexcitationbeamsandnotrelatedwiththeshape
5、andthedurationoftheexcitationsisconfirmedItisqutenecessarytofindouthowPSDconfigurationwillaffectPSDwavelengthresponsibilitybecausePSDisakindofwavelengthsensitivephomelectronicdevicewhichislimitedbyquantumeffect.Inthispap
6、ertheinfluenceofalllayersdepthofPSDPNjunctionanditssurfacereflectivitytoandoptimizewavelengthresponsibilityisdeeplystudiedtoofferguidancetodesignPSDforsomespecifiedapplicationsLinearityisoneofthekeycharacteristicandisstu
7、diedinthefollowingsectionusingelectricsimulationsoftwareandthePSDbounderyresistanceloadandsurfacediffluentresistanceareconsidered.Inthenextsectiontheworkof4x4PSDarraydesigningandfabricationisintroducedandthedarkcurrentre
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 陣列波導(dǎo)器件封裝固結(jié)特性研究.pdf
- SOI材料上緊湊結(jié)構(gòu)波導(dǎo)器件及陣列波導(dǎo)光柵器件的研制.pdf
- 亞波長金屬陣列結(jié)構(gòu)太赫茲透射特性及可調(diào)器件研究.pdf
- PSD器件在位移測試中的應(yīng)用.pdf
- 微光學(xué)陣列器件研究.pdf
- YBCO高溫超導(dǎo)薄膜器件研制及光化學(xué)-輻照特性研究.pdf
- 高壓SiC PiN器件的研制與靜動(dòng)態(tài)特性研究.pdf
- Si基綠色有機(jī)發(fā)光器件的研制及其特性的研究.pdf
- PSD綜合性能檢測系統(tǒng)的研制.pdf
- 量子保密通信關(guān)鍵器件研制及攻防研究.pdf
- 新型少模光纖波導(dǎo)特性分析及其器件的研制.pdf
- 陣列波導(dǎo)器件對準(zhǔn)耦合算法研究.pdf
- 光電陣列真空微電子顯示器件掃描控制系統(tǒng)的研制.pdf
- GaN器件的特性及應(yīng)用研究.pdf
- InAs-GaSb薄膜及器件特性研究.pdf
- 共振隧穿器件的研制及模擬研究.pdf
- 可見光垂直腔面發(fā)射激光器陣列的研制及特性分析.pdf
- GaN基FinFET器件結(jié)構(gòu)及特性研究.pdf
- MOS器件ESD特性研究.pdf
- 新型陣列波導(dǎo)器件的理論與實(shí)驗(yàn)研究.pdf
評論
0/150
提交評論