基于GaN HEMT大功率寬帶射頻功率放大器設(shè)計.pdf

1、近幾十年以來，電子產(chǎn)品制作工藝越來越精細(xì)，芯片集成度和性能不斷提高，導(dǎo)致無線通信廣泛地滲透到個人消費(fèi)、遠(yuǎn)程辦公、工業(yè)生產(chǎn)以及國家安全和軍事技術(shù)等關(guān)系到國計民生的方方面面。射頻功率放大器是無線發(fā)射機(jī)中非常重要的組成部分，被普遍地應(yīng)用在無線遠(yuǎn)程通信、定位導(dǎo)航、衛(wèi)星通信等系統(tǒng)中。功率放大器中線性度和效率是相互矛盾的，有較高的效率則線性度不理想。本論文采用第三代半導(dǎo)體材料制作的晶體管，并研究其外圍電路的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，兼顧了效率、帶寬和線性度指標(biāo)。<

2、br>　　本論文主要工作是采用Cree公司生產(chǎn)的GaN高電子遷移率晶體管設(shè)計功率增益大于55dB、輸出功率為55dBm的大功率射頻功率放大器。論文首先闡述了射頻電路基礎(chǔ)知識和功率放大器的主要分類、重要參數(shù)，以及當(dāng)今主流的線性化技術(shù)。然后使用CGH40120F氮化鎵功率管設(shè)計了一種單管射頻功率放大器。該功率放大器工作在L頻段，輸出功率在全頻段內(nèi)大于50dBm，功率增益大于14dB。同時放大器的附加效率為48％并且具有良好的線性度。在此基礎(chǔ)