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文檔簡介
1、該文主要研究器件三維封裝中貫通孔內(nèi)側氧化絕緣層的形成.該研究首先在HF:C<,2>H<,5>OH=1:l的溶液里用陽極腐蝕的方法制作大約為2μm厚度的多孔硅,制作多孔硅時采用了不同的電流密度,形成了不同晶粒大小的多孔硅.然后在0.1Mol/l的HCl溶液里20V的恒定電壓下陽極氧化前面制作出來的多孔硅.對于陽極氧化后的樣品,我們采用了掃描電子顯微鏡(SEM)觀測其截畫、確定其厚度;采用了擊穿電壓測試電路測試了擊穿電壓;采用了X射線光電子
2、能譜(XPS)分析了樣品的Si-O結合.該研究還將陽極氧化后的樣品在高溫下退火并與原樣品做了比較;將未陽極氧化的樣品熱氧化、將陽極氧化后的樣品熱氧化,再將它們與陽極氧化后的樣品也做了比較.該研究發(fā)現(xiàn)多孔硅層的硅晶粒大小是獲得優(yōu)質(zhì)電學性質(zhì)的關鍵.晶粒大小應小到能讓陽極氧化進行到晶粒的最核心,這樣氧化才會更充分.該研究最終在室溫下利用多孔硅的陽極氧化制作出了擊穿強度為2MV/cm左右的微米厚度的氧化絕緣層,實現(xiàn)了具有大于100伏擊穿電壓的目
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