Ba(Mg-,1-3-Ta-,2-3-)O-,3-微波陶瓷介電性能研究.pdf

1、Ba(Mg<,1/3>Ta<,2/3>)O3(簡稱BMT)陶瓷是A(B′<,1/3>B″<,2/3>)O<,3>(A=Ba,Sr;B′=Mg,Zn;B″=Nb,Ta)型復合鈣鈦礦結構化合物中的一種.它是低εr類微波介質陶瓷材料的最優(yōu)秀的典型代表,可作為濾波器、諧振器上的介質材料應用在微波范圍.但此種材料的燒結溫度過高,達到1600℃,極易造成Mg、Ba等組分的揮發(fā)而使其介電性能惡化.因此,以改善其燒結性能,降低燒結溫度,并提高其介電性能

2、為主要目的的對BMT陶瓷材料改性研究就顯得十分必要.該文分別研究了兩種A位和B位離子取代化合物對系統(tǒng)燒結性能、介電性能的影響,并初步探討了系統(tǒng)微觀結構的變化與介電性能之間的關系.A位由Sr<'2+>離子取代Ba<'2+>離子,形成(Ba1-xSrx)(Mg<,1/3>Ta<,2/3>)O<,3>(簡稱BSMT)固溶體型化合物,具有復合鈣鈦礦結構.Sr含量x≥0.6時發(fā)生相轉變,形成一種新的低溫相,這是由于氧八面體畸變造成的.這種低溫相結

3、構與BMT或SMT六方晶系結構相比具有較低的對稱性.低溫相的形成,可顯著降低BSMT陶瓷的燒結溫度,在1500℃即可燒結致密,比BMT低100℃.BSMT系統(tǒng)的微觀結構和介電性能的異常變化也與此低溫相的生成有關.對于添加BaSnO<,3>的系統(tǒng)(1-x)Ba(Mg<,1/3>Ta<,2/3>)O<,3>-xBaSnO<,3>,其中B位由Sn<'4+>取代Mg<'2+>或Ta<'5+>.發(fā)現(xiàn)BaSnO<,3>的添加可明顯改善系統(tǒng)的燒結性能