非致冷紅外探測(cè)器后端工藝技術(shù)研究.pdf

1、非致冷紅外探測(cè)器在軍民兩用市場(chǎng)都具有廣泛的應(yīng)用前景，近年來(lái)得到了大力的發(fā)展。作為典型的MEMS 器件，紅外探測(cè)器與其它MEMS 器件一樣，后端工藝是保證器件可靠運(yùn)行的保障。在紅外探測(cè)器的制備中，前端工藝主要是傳感器芯片的制備，而后端主要是紅外增強(qiáng)吸收膜制備和器件封裝。
　　 本文采用氮?dú)鈿夥障露啻坞娮枵舭l(fā)金絲的方法制備了厚度在幾至十幾微米的黑金吸收膜，顯微測(cè)試結(jié)果表明黑金層的結(jié)構(gòu)是球體或者蓬松的菜花結(jié)構(gòu)，這些結(jié)構(gòu)是由尺寸為納米級(jí)

2、別的金顆粒組成的團(tuán)簇，紅外反射譜測(cè)試表明在紅外波段具有顯著的寬譜吸收特性，可以此顯著提高探測(cè)器在紅外波段的吸收率，提高器件響應(yīng)率。
　　 在封裝工藝的研究中，研究了采用錫鉛電鍍液鍍制金屬封裝環(huán)的工藝，在硅襯底上成功鍍制了高度近十微米的金屬封裝環(huán)。研究了金屬封裝環(huán)與封裝管殼的熱鍵合工藝，采用整體鍵合加熱技術(shù)將鍍制了封裝金屬環(huán)的蓋板與紅外探測(cè)器管殼進(jìn)行鍵合實(shí)驗(yàn)，得到了一些有意義的結(jié)果，這些初步的研究為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)真實(shí)器件的真空鍵合奠定