高溫化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的溫度場(chǎng)和流場(chǎng)的研究與改進(jìn).pdf_第1頁(yè)
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1、碳化硅(SiC)材料生成設(shè)備的性能,對(duì)于材料質(zhì)量具有重要影響。本文從SiC材料研究需求出發(fā),對(duì)已有的SiC材料的外延設(shè)備進(jìn)行理論模擬及技術(shù)改進(jìn)。首先介紹了SiC材料及制備方法,重點(diǎn)是高溫化學(xué)氣相沉積原理及設(shè)備構(gòu)造,以及國(guó)內(nèi)國(guó)際相關(guān)設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)的發(fā)展?fàn)顩r;其次分析了現(xiàn)有的高溫化學(xué)氣相沉積設(shè)備熱傳導(dǎo)中存在的問(wèn)題,并進(jìn)行了模擬分析,提出了改進(jìn)方案,給出了相關(guān)改進(jìn)結(jié)果;然后對(duì)設(shè)備改進(jìn)前的流場(chǎng)進(jìn)行模擬,提出改進(jìn)方案并實(shí)施,對(duì)改進(jìn)后的方案進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)

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