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1、高壓MOS大功率器件是在上世紀(jì)九十年代迅速發(fā)展起來(lái)的新型功率器件.由于其比其他功率器件有許多優(yōu)良的性能,被工業(yè)界廣泛應(yīng)用。近年來(lái),隨著我國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)的迅猛增長(zhǎng),高壓MOS大功率器件的市場(chǎng)需求旺盛。然而,該器件的核心技術(shù)日前仍被國(guó)外器件生產(chǎn)商所掌握。因此,自主研發(fā),打破國(guó)外廠商的壟斷就成為一項(xiàng)非常重要的工作。 在這篇論文里,對(duì)高壓MOS大功率器件展開(kāi)深入細(xì)致的研究工作,包括器件的源漏擊穿電壓,最大源漏電流,開(kāi)啟電壓和導(dǎo)通電阻等參數(shù)的
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