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1、量子點(diǎn)具有獨(dú)特的光學(xué)性質(zhì),例如:尺寸依賴的發(fā)光、高的熒光量子產(chǎn)率、寬的激發(fā)光譜、窄的發(fā)射光譜、高的光穩(wěn)定性等,在基礎(chǔ)研究和應(yīng)用領(lǐng)域顯示出重要的價(jià)值。對(duì)于量子點(diǎn)的合成,準(zhǔn)確控制量子點(diǎn)的尺寸、形貌和表面化學(xué)是至關(guān)重要的。由于傳統(tǒng)有機(jī)相合成的量子點(diǎn)具有成本高以及不能直接生物應(yīng)用等缺點(diǎn),直接在水相中用各種含短鏈巰基的試劑作為穩(wěn)定劑合成Ⅱ-Ⅵ量子點(diǎn)是一種比較理想的替代油相合成的方法。本論文的主要工作如下:
閃鋅礦型的CdTe量子點(diǎn)是
2、一種重要的Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體發(fā)光量子點(diǎn),我們用巰基乙酸和巰基丙酸作為穩(wěn)定劑合成了CdTe量子點(diǎn),實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明穩(wěn)定劑的存在對(duì)量子點(diǎn)的生長(zhǎng)起到了很重要的作用。巰基乙酸修飾的CdTe量子點(diǎn)具有相對(duì)較高的熒光量子產(chǎn)率,最高達(dá)到60%,巰基丙酸修飾的CdTe量子點(diǎn)生長(zhǎng)速度更快,量子點(diǎn)的發(fā)光覆蓋整個(gè)可見光中從綠光到紅光的范圍。CdTe量子點(diǎn)最優(yōu)化的合成條件為pH=11,巰基乙酸/Cd的摩爾比為1.5/1。巰基乙酸修飾的CdTe量子點(diǎn)的熒光壽命隨著粒度的
3、增加而增加。
在水溶液中將CdS殼層沉積在CdTe核上制得CdTe/CdS核殼量子點(diǎn),由于CdS殼層的包覆,使得CdTe量子點(diǎn)的表面缺陷減少,量子點(diǎn)的光學(xué)性質(zhì)得到改善,這種核殼量子點(diǎn)的最高量子產(chǎn)率能達(dá)到67%。CdTe核量子點(diǎn)的表面包覆CdS殼層之后,熒光壽命從31ns增加到了79ns。CdTe核量子點(diǎn)和CdTe/CdS核殼量子點(diǎn)都顯示溫度依賴的熒光性質(zhì),這主要和熱缺陷產(chǎn)生的非輻射復(fù)合有關(guān)。
ZnS是一種無毒
4、且化學(xué)穩(wěn)定性好的殼層材料,但是ZnS和CdTe之間的晶格失配比較大,CdS作為中間過渡層可以使得ZnS的包覆效果比較好。ZnS殼層可以提供一個(gè)有效的保護(hù),將電子和空穴限制在量子點(diǎn)中,同時(shí)CdS殼層位于ZnS和CdTe之間使得應(yīng)力減少,制備出光學(xué)性質(zhì)比較好的CdTe/CdS/ZnS多殼量子點(diǎn)。與CdTe/ZnS核殼量子點(diǎn)相比,CdTe/CdS/ZnS量子點(diǎn)具有更好的光學(xué)性質(zhì)和穩(wěn)定性,最高的量子產(chǎn)率能達(dá)到80%,為在生物方面的應(yīng)用提供了可能
5、。
跟ZnS殼層比較,ZnO殼層具有更好的穩(wěn)定性。利用簡(jiǎn)單的共沉淀方法,在水溶液中直接在CdTe/CdS量子點(diǎn)表面沉積ZnO層。通過調(diào)整CdTe/CdS/ZnO量子點(diǎn)核的大小和殼層的厚度,發(fā)光波長(zhǎng)可以從綠光調(diào)整到紅光范圍。制得的CdTe/CdS/ZnO雙殼層量子點(diǎn)的最高量子產(chǎn)率可以達(dá)到80%。由于表面殼層的包覆,量子點(diǎn)的缺陷變少,熒光壽命隨著包覆的進(jìn)行有一個(gè)顯著的增加,例如CdTe(537nm)量子點(diǎn)的壽命為29.6ns,
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