EMI用高介X8R介質材料研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該論文研究了低頻高介X8R系列EMI用濾波電容器陶瓷材料及其制備方法。 論文利用金屬-電介質復合法將金屬單質M添加到BaTiO3基體材料中,分析了金屬-電介質復合材料的內部作用機理。金屬在高溫熔融狀態(tài)下與電介質之間的相互作用關系可由滲透理論來描述。 實驗中通過對金屬-電介質復合材料體系合成工藝的探索、助熔劑的選用及燒結條件的研究,使得該復合材料能夠適應EMI濾波電容器對大電容量的要求,得到了性能優(yōu)良的新型中溫燒結X8R電

2、介質材料。 其各項性能指標如下所示(燒結溫度1150℃): 介電常數:ε≥5200容量變化率:△C/C≤±15%(-55℃~+150℃)介質損耗:tgδ≤1.5%絕緣電阻率:ρv≥2×1011Ω·cm 實驗還在以前研究的基礎上利用先驅體B位復合取代法制備高介電常數BaTiO3-NiNb2O6-MnNb2O6系統(tǒng)陶瓷材料,并加入適量助熔劑實現中溫燒結,使材料可以使用Pd30%-Ag70%的材料作為內電極。制備出性能

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