R80P射頻寬帶功率NiZn鐵氧體材料研究.pdf

1、本文介紹了射頻寬帶高功率NiZn鐵氧體材料在射頻寬帶功率器件中的應(yīng)用及發(fā)展前景。分析了射頻寬帶高功率NiZn鐵氧體材料在高頻高功率應(yīng)用情況下的損耗機(jī)理，并針對(duì)損耗機(jī)理制定了降低射頻寬帶高功率NiZn鐵氧體材料高頻損耗的方案。從材料配方和材料生產(chǎn)工藝兩方面研究了影響射頻寬帶高功率NiZn鐵氧體材料傳輸高頻高功率信號(hào)效果的因素與材料的高頻損耗特性之間的關(guān)系。討論了如何根據(jù)高頻弱場(chǎng)檢測(cè)的材料參數(shù)結(jié)果來(lái)評(píng)價(jià)材料在高頻高功率應(yīng)用情況下的損耗。研究

2、了應(yīng)用于高頻大功率場(chǎng)合的NiZn鐵氧體功率材料的配方各成分含量和工藝因素對(duì)射頻寬帶高功率 NiZn鐵氧體材料的高頻損耗和電磁參數(shù)的影響。采用NiZn缺鐵配方，通過(guò) Co、V、Mn加雜等配方設(shè)計(jì)技術(shù)和高溫預(yù)燒、低溫?zé)Y(jié)、預(yù)保溫等工藝技術(shù)，研制出一種可應(yīng)用于 MHz頻段的高頻大功率 NiZn鐵氧體R80P材料，其性能水平與PHILIPS公司的4F1材料相當(dāng)。R80P材料的實(shí)測(cè)參數(shù)結(jié)果如下：電磁參數(shù)測(cè)量條件論文指標(biāo)實(shí)測(cè)結(jié)果μ i25℃，10K

3、Hz，0.1mT≈8081μ a100℃，25KHz，200mT≈300449.5 B25℃，10KHz，250A/m100℃，10KHz，250A/m≥50mT≥100mT68.157 mT102.56 mT Pv100℃，3MHz，10mT≤200mW/cm3203.65mW/cm3總結(jié)了降低射頻寬帶高功率NiZn鐵氧體材料高頻損耗的方法，結(jié)論如下：
　　1.研制射頻寬帶高功率 NiZn鐵氧體材料，采用NiZn缺鐵配方，有助于

4、降低材料的高頻損耗。
　　2.在配方中加入適量Co2O3、V2O5可降低材料的高頻損耗。
　　3.上述因素對(duì)材料綜合性能產(chǎn)生的影響不一致，應(yīng)尋求各組分的最佳含量，確保材料的綜合性能達(dá)到最優(yōu)。
　　4.采用適當(dāng)延長(zhǎng)球磨時(shí)間、高溫預(yù)燒、低溫?zé)Y(jié)、預(yù)保溫等工藝手段可降低材料的高頻損耗。
　　5.雖然高頻 Q值和高頻功耗密度的測(cè)量磁場(chǎng)不同，但兩者之間存在 Q值高則高頻功耗密度低的關(guān)系。高頻功耗密度的測(cè)量磁場(chǎng)更接近射頻寬帶