Ti-,3-AlC-,2-及ZrC-Ti-,3-AlC-,2-復合材料的制備與性能研究.pdf

1、Ti<,3>AlC<,2>兼金屬和陶瓷兩者的優(yōu)點于一身，具有易加工、良好的導電、抗熱震、抗氧化等優(yōu)異性能，成為國內外研究的熱點。若要促進Ti<,3>AlC<,2>在工程上廣泛應用，需要批量合成高純度、低成本Ti<,3>AlC<,2>粉體，但目前的合成工藝和原料配方都無法實現(xiàn)上述目標。因此，本論文主要目標是在原料配方和合成工藝等關鍵參數(shù)上取得突破，獲得低成本，高純度Ti<,3>AlC<,2>粉體。 本論文主要研究內容包括：利用Ti

2、的化合物廉價粉體取代傳統(tǒng)配料中的金屬Ti粉，采用常壓合成工藝，確定相關工藝參數(shù)，獲得單一相Ti<,3>AlC<,2>粉體。這樣不僅能在原料上直接降低合成Ti<,3>AlC<,2>粉體的成本，而且采取的工藝有利于工業(yè)化生產。在上述優(yōu)化工藝參數(shù)的基礎上，進一步制備致密Ti<,3>AlC<,2>塊體及ZrC/Ti<,3>AlC<,2>復合材料，并研究相關性能。 研究表明：當采用TiC粉體，按Ti：TIC：AI：Sn=1：1：1：0．1

3、，其中Sn為反應助劑，在1350～1500℃溫度范圍，氬氣保護氣氛下，保溫10分鐘，合成了單一相Ti<,3>AlC<,2>粉體。采用TiH<,2>完全取代上述配方中的Ti粉，按TiH<,2>：TiC：Al：Sn=1：1：1：0.1，在1500℃下，真空氣氛下，保溫10分鐘，同樣獲得了單一相Ti<,3>AlC<,2>粉體。利用X-射線衍射、掃描電鏡(SEM)、能譜分析、差熱分析等技術手段，對Ti<,3>AlC<,2>的合成機制和反應過程進