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1、大連理工大學碩士學位論文半導體材料Si力學性能及點缺陷運動的分子動力學模擬姓名:溫宇申請學位級別:碩士專業(yè):材料加工工程指導教師:姚曼王旭東20080601半導體材料Si力學性能及點缺陷運動的分子動力MoleculardynamicssimulationofmechanicalpropertiesanddefectmovementofsemiconductormaterialSiAbstract朋豫designandprediction
2、ofthecrystalstructuresandpropertiesofmaterialsaidedbycomputerscanbeachievedthroughnumericalsimulationItiSthemainresearch凡ldirectionofthecurrentmaterialfieldTherehavebeenextensiveapplicationsinmanyfieldsforthesemiconducto
3、rmaterialSiduetoitsexcellentmechanicalproperties、easygrowingthelargeandhi曲一puritycrystaletcBut,therearestillmanyunresolvedproblemsintheaspectsofmicrostructures,mechanicalpropertiesanddefectmovementduetolimitationsinresea
4、rchmethodThemechanicalpropertiesanddefectmovementofSihasbeeninvestigatedbymoleculardynamicssimulation(MD)andthecodeGULPinthisworkanditiShelpfulforfurtherunderstandingofthemicrostructureofSi。Firstlythepresentstatusandrese
5、archprogressofthesemiconductormaterialSi如eimoortanceofcomputerinmaterialdesignandthedevelopmentofcomputersimulationforSiissystematicallyreviewedMoleculardynamicssimulationandInteratomicpotentialofSiarealsoelucidatedFurth
6、ermorethecodeGULPandthemoduleofcalculationusedinthisarticlearesimplyintroducedSecondly,thecohesiveenergyandmechanicalpropertiesofSiarecalculatedusingdifferentpotentialsanddifferentparametersofpotential,thentheparameterso
7、fpotentialiSoptimized。弧eanalysisindicatesthatfordiamond—cubicSi,usingtheStillingerWeber(SW)potentialcouldobtainmorestablestructure(theminimumcohesiveenergy)andshowbetterchangeofpropertiesthanusingtheTerrsoffpotentialAnd,
8、thecohesiveenergy,latticeconstantandbuIkmodulusarealSOcalculatedbyusingthemodifiedSWparametersThenewresultiSmorereasonableandcomestobehighlyconsistentwimtheexperimentalvaluesThirdly,throughthesimulationofthevacancymoveme
9、ntalongthecrystallographyorientationsofandcrystallographyorientation,thevacancymainlymovesalongthecrystallographyorientationinSicrystalMoreover,theenergybarrier(about41eV)calculatedbyusingthemodifiedSWparametersisconsist
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