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1、大功率半導(dǎo)體激光器以它的功率高、壽命長(zhǎng)、穩(wěn)定性好,供電簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn),一出現(xiàn)就受到廣泛的關(guān)注。它在激光測(cè)距、激光雷達(dá)、激光制導(dǎo)、激光引信、激光夜視等軍用領(lǐng)域和激光醫(yī)療、激光打印、激光加工等民用領(lǐng)域有較大的應(yīng)用前景。波長(zhǎng)為808 nm的大功率半導(dǎo)體激光器由于其發(fā)射光譜與Nd:YAG等固體激光介質(zhì)吸收峰值對(duì)應(yīng),主要用作固體激光器泵源,取代氙燈泵浦。半導(dǎo)體激光器泵浦固體激光器具有體積小、電磁兼容性好的特點(diǎn),可廣泛應(yīng)用于機(jī)動(dòng)武器測(cè)距。目前兩種材料主
2、要被應(yīng)用于808 nm大功率半導(dǎo)體激光器有源層: AlGaInAs(有鋁激光器)和InGaAsP(無(wú)鋁激光器)。 論文鑒于有鋁材料和無(wú)鋁材料在大功率半導(dǎo)體激光器上的應(yīng)用結(jié)果系統(tǒng)地對(duì)這兩種大功率半導(dǎo)體激光器的性能進(jìn)行分析和研究,從根本上解釋材料特性對(duì)激光器性能的影響,為進(jìn)一步提高大功率半導(dǎo)體激光器的性能提供參考。 論文主要內(nèi)容如下: 1 首先采用MOCVD 技術(shù)制作了InGaAsP/GaAs 無(wú)Al和AlGaInA
3、s/AlGaAs/GaAs大功率激光器單管,發(fā)射波長(zhǎng)為808nm,功率約為1W;對(duì)同一批次生產(chǎn)出來的器件進(jìn)行篩選初測(cè)工作。 2 對(duì)篩選過的大功率激光器單管進(jìn)行PVI測(cè)試及特征溫度測(cè)試,數(shù)據(jù)處理得到激光器單管的閾值電流、斜率效率、特征溫度T0及激光器的內(nèi)部參數(shù)內(nèi)損耗、內(nèi)量子效率、透明電流密度和光限制因子。通過實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析有源區(qū)有鋁和無(wú)鋁對(duì)激光器光電特性及熱特性的影響。 3 對(duì)上述激光器單管進(jìn)行電流步進(jìn)加速老化實(shí)驗(yàn)。設(shè)計(jì)了加
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