開(kāi)關(guān)電源PCB電路電磁輻射研究.pdf

1、本文主要致力于開(kāi)關(guān)電源電磁干擾模型的研究。內(nèi)容涉及到功率半導(dǎo)體器件-PIN二極管、三種基本拓?fù)潆娐?Boost、Buck、Buck-Boost)的輻射EMI建模等方面。 首先，建立電路中元器件的高頻模型，這是開(kāi)關(guān)電源電磁輻射模型的基礎(chǔ)。 分析了PCB電路板跡線的微帶線和共面帶狀線兩種模型。對(duì)于PIN二極管本文采用了適用于EMI分析的精確模型，并在Saber環(huán)境下用MAST硬件描述語(yǔ)言編寫(xiě)了二極管的仿真程序。 然后

2、，在電路仿真軟件Saber中建立開(kāi)關(guān)電源仿真電路，研究輻射源特性，建立輻射模型。 利用電阻、電容、電感、PCB跡線、PIN二極管的高頻模型在Saber中建立開(kāi)關(guān)電源仿真電路，進(jìn)行時(shí)域和頻域仿真，分析具體開(kāi)關(guān)電源主電路PCB跡線上的頻域電流分布。為了在電磁兼容預(yù)測(cè)軟件中實(shí)現(xiàn)輻射場(chǎng)的求解預(yù)測(cè)，從麥克斯韋方程組出發(fā)推導(dǎo)出三種基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)輻射近場(chǎng)的頻域解析表達(dá)式，然后仿真并分析了升壓型開(kāi)關(guān)電源的輻射場(chǎng)。 最后，分析了核電磁脈沖對(duì)