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文檔簡介
1、隨著芯片集成度的不斷提高,電子封裝向小型化、輕量化和高性能的方向發(fā)展,使得電路的工作溫度不斷上升,系統(tǒng)單位體積發(fā)熱率不斷增大導(dǎo)致系統(tǒng)工作不穩(wěn)定。為了獲得穩(wěn)定的性能,必須需要改善散熱條件,從而導(dǎo)致電子封裝在微電子領(lǐng)域的重要性不斷提升,伴隨著新型電子封裝材料的需求也在不斷增加。B4C 陶瓷材料由于其密度低、熔點(diǎn)高、硬度高、抗疲勞性能好、耐腐蝕抗氧化性能強(qiáng)以及熱膨脹系數(shù)低等特點(diǎn),在高溫結(jié)構(gòu)材料方面應(yīng)用較多。如果我們能克服碳化硼導(dǎo)熱率低的特點(diǎn),
2、B4C陶瓷材料將會是一個(gè)非常有前景的電子封裝基板材料。為了提高碳化硼陶瓷材料的導(dǎo)熱性能,我們采取了高溫真空無壓浸滲法、埋粉滲Si法、類粉末冶金法制備了碳化硼-碳基陶瓷復(fù)合材料,采用無壓浸滲法制備了B4C/Cu 復(fù)合材料,目的是通過在復(fù)合材料中引入熱導(dǎo)率較高的金屬相來提高材料的熱導(dǎo)率。為了在復(fù)合材料中引入更多的液相,我們采用埋粉滲硅法、類粉末冶金法1600℃下獲得碳化硼-碳復(fù)合陶瓷,然后1200℃、100MPa熱等靜壓下降低材料中存在的氣
3、孔或缺陷。
本文通過高溫真空無壓燒結(jié)碳化硼-石墨復(fù)合材料、埋粉滲Si法、類粉末冶金法制備了碳化硼-碳基陶瓷復(fù)合材料,并研究了其導(dǎo)熱性能,結(jié)果表明材料導(dǎo)熱性能較純碳化硼提高不大。為了提高材料的導(dǎo)熱性,我們采取無壓浸滲法,為了獲得好的潤濕性,浸滲溫度必須在銅熔點(diǎn)1140℃以上,通過1800℃ 真空無壓燒結(jié)碳化硼,然后1600℃無壓浸滲金屬銅,獲得了B4C/Cu 陶瓷復(fù)合材料中B4C 體積分?jǐn)?shù)占60%,復(fù)合材料致密度90%以上的
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