單室vhfpecvd制備微晶硅薄膜太陽(yáng)電池的初步研究

1、南開大學(xué)碩士學(xué)位論文單室VHFPECVD制備微晶硅薄膜太陽(yáng)電池的初步研究姓名：孫福河申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：物理電子學(xué)指導(dǎo)教師：張曉丹趙穎20090601摘要不宜過長(zhǎng)，應(yīng)選取適當(dāng)?shù)臍涮幚頃r(shí)間。5對(duì)單室沉積微晶硅電池的初步研究。適當(dāng)?shù)臍涞入x子體處理，能在一定程度上降低硼對(duì)電池性能的影響，有利于提高電池的短路電流；硼對(duì)不同晶化率本征i層影響程度不同，提出采用p／i界面層來降低硼污染，結(jié)果表明：一定厚度和晶化率的p／i界面層可以降低硼的污染影

2、響，提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率；將這兩種處理方法簡(jiǎn)單組合，與其中任一方法所制備電池性能差別不大，兩者的結(jié)合處理需要進(jìn)一步優(yōu)化；采用微晶硅覆蓋法或在空腔室中進(jìn)行強(qiáng)氫稀釋的等離子體輝光處理更有利于降低硼污染，明顯提高了電池的性能。6最后，在單室中采用VHFPECVD技術(shù)，以35Ms沉積速率制備的單結(jié)微晶硅太陽(yáng)電池的效率為639％，非晶／微晶硅疊層太陽(yáng)電池(微晶硅底電池在單室沉積)的轉(zhuǎn)換效率為1056％。關(guān)鍵詞：?jiǎn)问疑醺哳l等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積