外文翻譯(中文)化學浴沉積法制備金屬氧化物薄膜（節(jié)選）

1、<p><b>　　中文3160字</b></p><p>　　化學浴沉積法制備金屬氧化物薄膜</p><p>　　R.S. Mane, C.D. Lokhande</p><p>　　薄膜物理實驗室，印度希瓦吉大學，Kolhapur416004，</p><p>　　收到1999年7月22日，經(jīng)修訂的表格19

2、99年12月28日收到；</p><p>　　接受2000年1月3日。</p><p>　　-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------</p><p><b>

3、;　　摘要</b></p><p>　　由化學方法制備金屬氧化物薄膜的方法目前受到很大的關注，它相對因為這些是避免基體的氧化和侵蝕的低溫程序，很多的基體，像是絕緣體、半導體或金屬，能被利用。這些是用改良的晶粒組織促進晶體較好的定方位的緩慢的過程。根據(jù)沉積條件的不同，膜的生長可以采取離子對基材的材料凝結(jié)或從底物上的膠體粒子吸附的地方。使用這些方法，II-VI，V-VI，III-VI的薄膜等已沉積出來。太

4、陽能選擇性涂層，太陽能控制，光電導，固態(tài)及光電太陽能電池，光學成像，全息圖記錄，光大容量存儲器等都是金屬硫薄膜的一些應用。在本綜述中，我們有詳細的介紹，化學浴金屬硫系薄膜沉積法，它有高產(chǎn)優(yōu)質(zhì)薄膜的能力。他們的制備參數(shù)，結(jié)構(gòu)，光學，電學性能等進行了描述。我們還討論了化學浴沉積法制備薄膜的理論背景。</p><p>　　關鍵詞：金屬硫族化合物薄膜、薄固體、化學浴沉積</p><p>　　---

5、----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------</p><p><b>　　1 簡介</b></p><p>　　薄膜材料在不同的領域有很多應用。他們有些是A.R.涂料、干擾濾波器

6、、 polarisers，狹帶濾波器、日光電池，光導體, photoconductors,探測器，波導涂料，衛(wèi)星的溫度控制，光熱太陽能涂層例如黑鉻，鎳，鈷，等等。磁性薄膜，超導體薄膜，抗腐蝕薄膜，微電子設備，菱形薄膜，通過涂層或表面改性減少fabrication等等，取向附生和異質(zhì)結(jié)構(gòu)薄膜 ，耐高溫薄膜，硬質(zhì)涂層等。薄膜設備的快速發(fā)展有助于發(fā)展獨石和混合微電子的集成電路，硫化物薄膜有助于大面積的光電二極管陣列、太陽能選擇涂料、太陽能電池

7、、photoconductor、傳感器等的制備。通過真空蒸發(fā)，噴濺，以及化學方法例如化學蒸汽沉積，噴霧高溫分解，電沉積，陽極化處理，無電鍍電轉(zhuǎn)換，浸增長，連續(xù)的離子吸附和反應，化學浴沉積，溶解氣接口技術是眾所周知的。</p><p>　　CBD就是在溶液中生長，控制析出，或簡單的化學沉積，最近被用作金屬氧化物薄膜的沉積。它在液相中，是良好化學的蒸氣沉積在氣相的類似物。反應發(fā)生在溶解的初期，通常在較低溫度下的水溶液

8、中。硫脲，硫代乙酰胺，硫代硫酸鹽，鈉硫化物通常被用作硫化物初級形式，金屬的前體是氨配體與金屬離子絡合。</p><p>　　有趣的是注意到，CBD和噴霧熱分解硫化物沉積法的相似的地方是采用相同在溶劑中分散的前體（硫脲和硫代乙酰胺和金屬鹽類）的使用。在CBD中，溶液化學讓自發(fā)的液相反應成為可能，而噴霧熱分解法由于不同的溶液化學，反應需要更高的溫度處理，因此發(fā)生在氣相階段。</p><p>　

9、　CBD目前吸引了很多的關注，它不需要復雜的儀器比如蒸汽系統(tǒng)和其他昂貴的設備。簡單的設備例如帶有磁石攪拌器的熱板是不可或缺的。原料普遍便宜來源廣。通過CBDS，很多基體能被一個適當?shù)膯未芜\行的設計所復蓋。 基體的導電系數(shù)是不必需的。溶液能得到的任何不溶的表面將成為沉積的合適的襯底。低溫沉積避免了氧化和金屬基體的腐蝕?；瘜W沉積導致了pin hole free,一律的沉積很容易獲得因為基本的砌塊是離子而非原子。準備的參數(shù)容易控制、比較好的定

10、方位，而且改良的晶粒組織能被獲得。文獻中出現(xiàn)了很多討論CBD的地位的評論文章。</p><p>　　溶液中固相的形成包括兩個階段：成核和生長。固相顆粒的大小取決于這兩個過程發(fā)生的速率。對于任何沉淀，有很少一部分的離子或分子在于溶液接觸過程中產(chǎn)生了穩(wěn)定的相，被稱作核心。晶核的形成對沉淀洗出是很重要的。溶液中核的概念是形成分子團簇進行快速分解和粒子結(jié)合起來，長大了一定厚度的薄膜，取決于沉積條件例如水浴溫度，攪拌速率，

11、PH，溶液的濃度等等。薄膜的生長發(fā)生在原料的離子-離子凝聚或基體上的溶液中膠質(zhì)點的吸附作用。使用CBD, ,很多的二元硫化物例如CdS, CdSe, Bi2S3, Bi2 Se3, PbS,PbSe,As2S3, Sb2S3, Ag2S, CuS, ZnS等等，以及三元硫化物例如CdZnS, CdSSe, CuInS2, CuInSe2, PbHgS, CdPbSe等等沉積出薄膜。</p><p>　　在目前的文

12、獻中，有一項關于用化學浴沉積法制備氧化物薄膜的研究，討論了化學浴沉積的理論背景，總結(jié)了二元和三元硫化物半導體薄膜的物理化學性質(zhì)。</p><p>　　2 化學浴沉積的理論背景</p><p>　　2.1 溶解度和離子產(chǎn)物的概念</p><p>　　難溶鹽AB,當放進水中，獲得包含A和B離子和不溶的固體AB的飽和溶液，固體和溶液中建立了一個平衡反應。</p>

13、;<p><b>　　運用質(zhì)量作用定律</b></p><p>　　由于K和K0是常數(shù)，KK的產(chǎn)物也是常數(shù)。</p><p>　　常數(shù)KS被稱作溶度積， 當溶液達到飽和離子產(chǎn)品等于溶度積，當離子濃度超過了溶解度，溶液是過飽和的，沉淀就開始了，離子在溶液和基體上聯(lián)合形成核。有三個主要的因素影響了溶度積：溫度、溶劑和晶粒尺寸。溶解度的改變是溫度的函數(shù)，因為溫

14、度應力增加，沉淀物和溶液中的離子之間的平衡將根據(jù)反應是吸熱還是放熱的轉(zhuǎn)移方向。使用低介電常數(shù)的溶劑，較難溶物質(zhì)在水中的溶解度在添加了酒精和其他的水溶性的溶劑后有所降低。</p><p>　　當顆粒尺寸增加，溶解度也會增大。溶解度常數(shù)已經(jīng)通過不同的方法測出來了，包括量熱法，離子交換，電導率，離子交換法，極譜法，熱力學數(shù)據(jù)，反應速率...等等。溶解度常數(shù)取決于溫度、媒介和測量方法，因此一個數(shù)量級的物質(zhì)溶解度常數(shù)的不同

15、，在文獻中有報道。最近，S.Licht,使用熱力學數(shù)據(jù)，納入新的水溶液在堿性介質(zhì)中形成的自由能有S2ÿ發(fā)現(xiàn)，不溶性金屬硫化物溶解性鹽類產(chǎn)品的程度比以前少幾個數(shù)量級。 2.1.1溶液中沉淀物的形成</p><p>　　沉淀物的晶粒尺寸某一程度上取決于實驗條件、溫度、試劑的混合速率，試劑的濃度、析出過程中沉淀物的溶解度。所有這些都與系統(tǒng)的過飽和度有關。過飽和狀態(tài)可以通過降低不飽和溶液的溫度來獲得。&

16、lt;/p><p>　　對任何沉淀物，都有一個形成穩(wěn)定的與溶液接觸第二相的離子或分子量的最小值，被稱作晶核。核心在溶液中形成的速率取決于過飽和的程度。晶核形成的速率隨過飽和度的增加呈指數(shù)增長。晶核形成的速率= 考慮到X>1,Q是溶質(zhì)的濃度，Ko和X是常數(shù)，第二步是已經(jīng)存在于溶液中晶粒的生長，這開始于核心的形成。對離子固體來說，這個過程包括陰陽離子在合適位置的沉積。</p><p><

17、;b>　　2.2 實驗細節(jié)</b></p><p>　　2.2.2 化學浴沉積法</p><p>　　在操作的基礎上，實驗設置是用來從溶液中大量的沉積薄膜，</p><p>　　在這一技術中基板和溶液是靜止的，溶液用磁攪拌器幫助攪拌。并不斷攪拌水或石蠟浴用于化學水浴加熱到所需溫度。</p><p>　　3 化學浴沉積法制

18、備金屬氧化物薄膜</p><p>　　3.1 金屬硫化物薄膜</p><p><b>　　3.1.1 CdS</b></p><p>　　多晶CdS薄膜因為其已得到證實和潛在的在半導體和光電器件方面的應用，近年來受到廣泛的關注，CdS薄膜可以用真空沉積法、燒結(jié)法、化學沉積法等制備，CdS薄膜已經(jīng)通過化學浴沉積法從酸性溶液、堿性溶液和非水浴中制備

19、出來。</p><p><b>　　3.1.2 ZnS</b></p><p>　　硫化鋅是具有大的間隙的半導體材料，它在薄膜器件上有巨大的潛在應用，如光致發(fā)光和電致發(fā)光設備。另外，硫化鋅是短波長的發(fā)光二極管上的重要物質(zhì)。有報道過用具有緩沖層的漸變帶隙制備的CuSe2微型薄膜。光浸泡后沉積使效率增長了14%。硫化鋅薄膜已經(jīng)通過使用硫脲和硫代乙酰胺從酸性溶液、堿性溶液中

20、制備出來。</p><p><b>　　3.1.3 HgS</b></p><p>　　雙層薄膜系統(tǒng)的Se/HgSe，Sb2S3/HgS，As2S3/HgS等顯示了異常的光電導性能，由譜記憶表征。這些材料的暗電導率一定溫度范圍不是常數(shù)，但在很大程度上取決于光的波長。有可變的光學帶隙的硫化汞和硫化鉛復合薄膜是很有前景的半導體材料。半導材料的紅外探測范圍為1—12毫米。&

21、lt;/p><p><b>　　3.2 金屬硒薄膜</b></p><p>　　3.2.1 CdSe</p><p>　　硒化鎘作為半導體和太陽能材料展示了巨大潛力。這些薄膜應用于制造光電器件，薄膜晶體管和γ射線探測器上</p><p><b>　　3.3 金屬氧化物</b></p>&

22、lt;p>　　氧化亞銅(Cu20)作為一種具有獨特光、磁學特性的P型半導體材料，在太陽能轉(zhuǎn)換、電子學、磁儲存裝置、生物傳感及催化方面有著潛在的應用。氧化啞銅帶隙寬度為2．1eV，激子在單晶中可以連續(xù)地傳輸，使它具有較高的吸光系數(shù)，成為制作光電轉(zhuǎn)化器的重要材料。由于量子尺寸效應，隨著粒徑的減小，氧化亞銅展現(xiàn)出奇特的光學、電學及光電化學性質(zhì)和催化活性，氧化亞銅啞微米球目前已用于鋰電池的負極材料舊1；亞微米級的氧化亞銅具有特殊的光催化活

23、性，能在可見光作用F光解水生成氫氣和氧氣川，這為未來氫能源的開發(fā)提供了重要的思路。 4 結(jié)論 在本綜述中，我們描述了金屬硫系薄膜的化學浴沉積。這種方法簡單，價格低廉，方便大面積沉積和高產(chǎn)優(yōu)質(zhì)薄膜的能力。以表格形式提交的數(shù)據(jù)表明，成膜可以進行各種基材上進行。這種半導體的物理和化學性質(zhì)比較與其他方法制備的半導體。例如太陽能電池，光電導，探測器，這些薄膜的太陽能等選擇性涂層的設備顯示在現(xiàn)代薄膜技術方法的前景。</p>