804--《模擬電子技術(shù)》考試大綱

1、820《820《半導(dǎo)體物理半導(dǎo)體物理》考試大綱考試大綱一、基本要求《半導(dǎo)體物理》碩士研究生入學(xué)考試內(nèi)容主要包括半導(dǎo)體物理的基本概念、基礎(chǔ)理論和基本計算；考試命題注重測試考生對相關(guān)的物理基本概念的理解、對基本問題的分析和應(yīng)用，強調(diào)物理概念的清晰和對半導(dǎo)體物理問題的綜合分析。二、考試范圍1、半導(dǎo)體中電子狀態(tài)半導(dǎo)體中電子狀態(tài)1.1半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)1.2半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶1.3半導(dǎo)體中電子的運動有效質(zhì)量1.4本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機構(gòu)

2、空穴1.5回旋共振1.6硅，鍺和砷化鎵的能帶結(jié)構(gòu)2、半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級2.1硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級2.2ⅢⅤ族化合物中的雜質(zhì)能級2.3缺陷、位錯能級3、半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計分布半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計分布3.1狀態(tài)密度3.2費米能級和載流子的統(tǒng)計分布3.3本征半導(dǎo)體的載流子濃度3.4雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度3.5一般情況下的載流子統(tǒng)計分布3.6簡并半導(dǎo)體4、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性半導(dǎo)體的導(dǎo)電性4.1載流子的漂移運動遷移率4.

3、2載流子的散射4.3遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系4.4電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系4.5玻耳茲曼方程電導(dǎo)率的統(tǒng)計理論4.6強電場下的效應(yīng)熱載流子5、非平衡載流子非平衡載流子5.1非平衡載流子的注入和復(fù)合5.2非平衡載流子的壽命5.3準(zhǔn)費米能級5.4復(fù)合理論5.5陷阱效應(yīng)5.6載流子的擴散運動5.7載流子的漂移運動愛因斯坦關(guān)系式5.8連續(xù)性方程6、pnpn結(jié)6.1pn結(jié)及其能帶圖6.2pn結(jié)電流電壓特性6.3pn結(jié)電容6.4pn結(jié)擊穿