由吸收系數還是衰減系數的突變確定物質對x光的吸收邊

1、由吸收系數還是衰減系數的突變確定物質對X光的吸收邊 ?,,單質鋯的吸收截面和波長的關系,由衰減系數確定吸收限,,把原坐標系向下移動個常量單位，然后把縱坐標乘以常量倍,得到新的圖像即是衰減系數與波長的關系 做以上變換是因為衰減系數圖像考慮了散射截面的影響。 與原圖像相比只是經過了縱向平移和縱坐標伸縮變換,圖像的形狀沒有發(fā)生改變,對應的吸收邊也沒有發(fā)生變化,結論：透射率直觀反映了X光的衰減情況，所以建議實驗書上以衰

2、減系數來定義吸收邊。,吸收系數的突然增大是衰減系數突變的原因，所以是在固定的對應的波長處發(fā)生這一突變?？紤]到我們在實驗中也是通過透射率的突變確定吸收邊，如下圖所示,,,莫塞萊定律中的（X光的特征譜）可以用吸收邊來代替嗎？,元素的標識譜 /特征譜如果把各元素的特征X射線的頻率的平方根對原子序數作標繪，就會得到線性關系。,,當n=1層中出現一個空穴時，n=2層中的電子感受到的是Z-1個正電荷的作用向內層躍遷時，發(fā)出X光輻射。產生

3、KX射線的閾能大于KX射線本身的能量 。,什么是閾能？,只有入射粒子能量等于或大于某一閾值時，反應才能發(fā)生，這個閾值稱為該反應的閾能。吸收系數在兩側有一個突變，它對應的能量是殼層移去一個電子所需的能量，也就是產生KX射線的閾能。,結論:可以用吸收邊與原子序數的關系驗證莫塞萊定律。,而KX射線的能量是電子從n=1到n=2層的能量差值，對應的是元素的標識譜。由NaCl晶體衍射實驗得到標識譜λαλβ實驗中求出鉬的吸收邊λ相差不是很大，

4、約為2.8%,,用電離腔探測X射線中，電容器極板間的電壓為什么只有140伏，一直達不到要求的300伏特，問題出在哪里？,,電壓表的內阻為1M歐姆 !再測極板電壓輸出端的靜電阻從1M歐姆到5M歐變化拆開極板電源的盒子，發(fā)現電壓輸出端的電阻為1M歐姆電阻和4M歐姆電位器串聯(lián),用內阻為1M歐姆電阻的電壓表測量電位器轉到最大（電阻5 M歐）時的電壓，就會出現問題 !,當電源電壓為450伏特，最大時輸出端電壓300伏特，并聯(lián)了1M歐姆的電壓表

5、顯示電壓140伏特。這樣就明白了原因在哪里。,如果用內阻較大（10M歐姆）的電壓表測量，對原電路的影響可以忽略，問題就解決了。 現有器材精度并不理想實現了定性地測量得出了實驗結論,極板電壓較小時，I-U如歐姆定律一樣成線性關系隨著加在電離腔兩端的電壓UC增大，出現電流飽和。,,,X光的高壓增加后，X光的光子總數和能量都增加了，所以飽和電流值上升第一圖中的電壓閾值比第二圖中的大飽和電流的大小反映了入射到電離腔的X射線的電