材料科學(xué)基礎(chǔ)選擇題

1、11、極化會(huì)對(duì)晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生顯著影響，可使鍵性由（B）過渡，最終使晶體結(jié)構(gòu)類型發(fā)生變化。A:共價(jià)鍵向離子鍵B:離子鍵向共價(jià)鍵C:金屬鍵向共價(jià)鍵D:鍵金屬向離子鍵2、離子晶體中，由于離子的極化作用，通常使正負(fù)離子間的距離（B），離子配位數(shù)（）。A:增大，降低B:減小，降低C:減小，增大D:增大，增大3、氯化鈉具有面心立方結(jié)構(gòu)，其晶胞分子數(shù)是（C）。A:5B:6C:4D:34、NaCl單位晶胞中的“分子數(shù)”為4，Na填充在Cl所構(gòu)成的（B）空

2、隙中。A:全部四面體B:全部八面體C:12四面體D:12八面體5、CsCl單位晶胞中的“分子數(shù)”為1，Cs填充在Cl所構(gòu)成的（C）空隙中。A:全部四面體B:全部八面體C:全部立方體D:12八面體6、MgO晶體屬NaCl型結(jié)構(gòu)，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子組成，其一個(gè)單位晶胞中有（B）個(gè)MgO分子。A:2B:4C:6D:87、螢石晶體可以看作是Ca2作面心立方堆積，F(xiàn)填充了（D）。A:八面體空隙的半數(shù)B:四面體空隙的半數(shù)

3、C:全部八面體空隙D:全部四面體空隙8、螢石晶體中Ca2的配位數(shù)為8，F(xiàn)配位數(shù)為（B）。A:2B:4C:6D:89、CsCl晶體中Cs的配位數(shù)為8，Cl的配位數(shù)為（D）。A:2B:4C:6D:810、硅酸鹽晶體的分類原則是（B）。A:正負(fù)離子的個(gè)數(shù)B:結(jié)構(gòu)中的硅氧比C:化學(xué)組成D:離子半徑11、鋯英石Zr[SiO4]是（A）。A:島狀結(jié)構(gòu)B:層狀結(jié)構(gòu)C:鏈狀結(jié)構(gòu)D:架狀結(jié)構(gòu)12、硅酸鹽晶體中常有少量Si4被Al3取代，這種現(xiàn)象稱為（C）

4、。A:同質(zhì)多晶B:有序—無序轉(zhuǎn)變C:同晶置換D:馬氏體轉(zhuǎn)變13.鎂橄欖石Mg2[SiO4]是（A）。A:島狀結(jié)構(gòu)B:層狀結(jié)構(gòu)3C:結(jié)構(gòu)相同是有限固溶的必要條件D:結(jié)構(gòu)相同不是形成固溶體的條件23、缺陷對(duì)晶體的性能有重要影響，常見的缺陷為（D）。A:點(diǎn)缺陷B:線缺陷C:面缺陷D:ABC24、按照晶體結(jié)構(gòu)缺陷形成的原因，可將晶體結(jié)構(gòu)缺陷的類型分為（D）。A:熱缺陷B:雜質(zhì)缺陷C:非化學(xué)計(jì)量缺陷D:ABC25、晶體中的熱缺陷的濃度隨溫度的升高

5、而增加，其變化規(guī)律是（B）。A:線性增加B:呈指數(shù)規(guī)律增加C:無規(guī)律D:線性減少26、間隙式固溶體亦稱填隙式固溶體，其溶質(zhì)原子位于點(diǎn)陣的間隙中。討論形成間隙型固溶體的條件須考慮（D）。A:雜質(zhì)質(zhì)點(diǎn)大小B:晶體（基質(zhì)）結(jié)構(gòu)C:電價(jià)因素D:ABC27、位錯(cuò)的滑移是指位錯(cuò)在（A）作用下，在滑移面上的運(yùn)動(dòng)，結(jié)果導(dǎo)致永久形變。A:外力B:熱應(yīng)力C:化學(xué)力D:結(jié)構(gòu)應(yīng)力28、柏格斯矢量（BurgersVect）與位錯(cuò)線垂直的位錯(cuò)稱為(A)，其符號(hào)表示

6、為()。A:刃位錯(cuò)；⊥B:刃位錯(cuò)；VXC:螺位錯(cuò)；D:刃位錯(cuò)；29、熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn)（原子或離子）。當(dāng)離子晶體生成肖特基缺陷（Schottkydefect）時(shí)，（B）。A:正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的縮小B:正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加C:正離子空位和負(fù)離子間隙是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加D:正離子間隙和負(fù)離子空位是