介質(zhì)阻擋放電脫除NO的研究.pdf

1、設(shè)計并制作了實驗用同軸圓柱介質(zhì)阻擋放電(DBD)反應(yīng)器，并對介質(zhì)阻擋放電脫除NO的反應(yīng)器結(jié)構(gòu)參數(shù)及化學(xué)組分等影響因素進行了實驗研究。 實驗分析了N<,2>/NO、N<,2>/NO/O<,2>、N<,2>/NO/H<,2>O(g)和N<,2>/NO/O<,2>/H<,2>O(g)不同反應(yīng)體系下，DBD脫除NO化學(xué)因素的影響。實驗結(jié)果表明，不同反應(yīng)體系中，交流電壓升高，NO的脫除率也隨之升高；隨著NO進口濃度的增加，NO脫除率逐漸降

2、低，NO<,2>的生成率則先升高后下降；在N<,2>/NO反應(yīng)體系中，NO主要通過分解還原脫除；而在N<,2>/NO/O<,2>和N<,2>/NO/H<,2>O(g)體系下，NO的氧化脫除趨勢比較明顯，隨著電壓的升高，NO<,2>生成率先增大后逐漸降低；在N<,2>/NO/O<,2>體系，隨著O<,2>含量的增加，NO的轉(zhuǎn)化主要以氧化反應(yīng)為主：在N<,2>/NO、N<,2>/NO/O<,2>和N<,2>/NO/H<,2>O(g)體系中，

3、NO<,2>生成率皆在電壓為9kV時達到最大值，分別為23％、37％和26％。N<,2>cNO/O<,2>/H<,2>O(g)體系，NO<,2>生成率隨電壓的升高逐漸增大，在電壓為15kV時，增大到37.4％，O<,2>和H<,2>O(g)的同時存在，使H<,2>O(g)對NO的氧化作用更加顯著。 研究了N2/NO體系下NO脫除效率隨單雙介質(zhì)層、介質(zhì)材料、高壓電極結(jié)構(gòu)與材料、放電間隙及反應(yīng)管數(shù)目等反應(yīng)器結(jié)構(gòu)參數(shù)的變化情況。結(jié)果表

4、明：單介質(zhì)反應(yīng)器NO的脫除率和NO<,2>的生成率要高于雙介質(zhì)反應(yīng)器，但是，當(dāng)供電電壓較高時，雙介質(zhì)反應(yīng)器的脫除效果較好；與石英雙介質(zhì)反應(yīng)器比較可知，內(nèi)外介質(zhì)組成分別為陶瓷和石英的反應(yīng)器對。NO 的脫除效果較好；放電間隙為1.5mm的反應(yīng)器比3.5mm的NO脫除率較高，特別是電壓較低時，脫除優(yōu)勢更明顯，但是不利于NO<,2>的生成：分別用圓板和圓環(huán)作內(nèi)電極結(jié)構(gòu)的反應(yīng)器對NO的脫除效果相近，NO的脫除率和NO<,2>的生成率都優(yōu)于以鋼棒做