dr性能檢測(cè)方法

1、附 錄 A DR 性能檢測(cè)方法A.1 性能檢測(cè)所需設(shè)備與用具所需設(shè)備與用具包括：a) 多功能 X 光機(jī)質(zhì)量檢測(cè)儀；b) 高對(duì)比度分辨率測(cè)試卡；c) 低對(duì)比度分辨率模體；d) 準(zhǔn)直度檢測(cè)板；e) 20 mm 鋁板；f) 1 mm 銅板；g) 1.5 mm 銅板；h) 鉛板。A.2 性能檢測(cè)方法A.2.1 X射線管電壓指示的偏離A.2.1.1 確保設(shè)備完成 X 射線管預(yù)熱。A.2.1.2 設(shè)置檢測(cè)幾何條件：SID 選擇 100 cm，設(shè)置光

2、野范圍為 10 cm×10 cm，中心線束與探測(cè)器垂直。A.2.1.3 檢測(cè)儀探頭置于射線中心位置，將鉛板放置在探頭下方用于保護(hù)探測(cè)器。A.2.1.4 設(shè)置臨床常用管電流時(shí)間積，分別在大小焦點(diǎn)條件下，對(duì) 60 kV、80 kV、100 kV、120 kV 各檔或最接近檔進(jìn)行測(cè)量，每檔測(cè)量 3 次。 A.2.1.5 根據(jù)式(A.1)計(jì)算管電壓測(cè)量的平均值與管電壓預(yù)設(shè)值的相對(duì)偏差。?????????????????????????

3、???????????????????(A.1) 𝐸𝑣 =𝑉𝑖 - 𝑉0𝑉0 × 100% 式中：——管電壓測(cè)量相對(duì)偏差，%；𝐸𝑣——管電壓測(cè)量的平均值，單位為千伏（kV）； 𝑉𝑖——管電壓預(yù)設(shè)值，單位為千伏（kV）。 𝑉0A.2.2 輻射輸出量重復(fù)性A

4、.2.2.1 確保設(shè)備完成 X 射線管預(yù)熱。A.2.2.2 幾何條件與“X 射管電壓指示的偏離”條件保持一致。A.2.2.3 將檢測(cè)儀探頭置于射線中心位置，將鉛板放置在探頭下方用于保護(hù)探測(cè)器；A.2.2.4 設(shè)置管電壓為 80 kV 或最接近檔，常用的曝光管電流時(shí)間積，無(wú)附加濾過(guò)。以相同條件曝光測(cè)量 5 次并記錄，其中空氣比釋動(dòng)能值在檢測(cè)儀上讀取，曝光管電流時(shí)間積在設(shè)備上讀取，兩者相除得到每次輸出量的測(cè)量值。A.2.2.5 根據(jù)式(A.

5、2)計(jì)算測(cè)量結(jié)果。???????????????????????????????????????(A.2) 𝐶𝑉 =1𝐾∑(𝐾𝑖 ? 𝐾)2𝑛 ? 1 × 100% A.2.5.4 設(shè)置管電壓為 80 kV 或最接近檔，常用的曝光管電流檔，無(wú)附加濾過(guò)，分別選擇不同的曝光時(shí)間進(jìn)行檢測(cè)，曝光時(shí)間應(yīng)覆蓋＜100 ms 檔和

6、≥100 ms 檔區(qū)間，重點(diǎn)檢測(cè)臨床常用時(shí)間檔，曝光時(shí)間從檢測(cè)儀直接讀出。每檔測(cè)量 3 次取平均值。A.2.5.5 根據(jù)式（A.4）計(jì)算曝光時(shí)間指示的偏離。????????????????????????????????????????????(A.4) 𝐸𝑇 =𝑇𝑖 - 𝑇0𝑇0 × 100% 式中：——曝光時(shí)間偏離，%；

7、19864;𝑇——曝光時(shí)間測(cè)量平均值，單位為毫秒（ms）； 𝑇𝑖——曝光時(shí)間設(shè)置值，單位為毫秒（ms）。 𝑇0A.2.6 AEC重復(fù)性A.2.6.1 確保設(shè)備完成 X 射線管預(yù)熱。A.2.6.2 移除濾線柵，調(diào)節(jié) SID 為 100 cm（床）/180 cm（胸片架） ，設(shè)置照射野覆蓋需要檢測(cè)的電離室（或全部電離室） 。A.2.6.3 將 20 mm 鋁板安裝在束光器出口。

8、A.2.6.4 選定需要測(cè)試的電離室（或全部電離室） ，在自動(dòng)條件下曝光。若設(shè)備沒(méi)有全自動(dòng)曝光模式，設(shè)置管電壓為 80 kV 或最接近檔，管電流時(shí)間積為默認(rèn)值（或選擇 200 mA 管電流值） ，共進(jìn)行 5 次 AEC 曝光。A.2.6.5 根據(jù)式（A.5）計(jì)算管電流時(shí)間積讀數(shù)的重復(fù)性。???????????????????????????????????????(A.5) 𝐶𝑉 =1𝐷∑

9、(𝐷𝑖 - 𝐷)2𝑛 - 1 × 100% 式中：CV——變異系數(shù)，%；——每次曝光管電流時(shí)間積讀數(shù)值，單位為毫安秒（mAs）； 𝐷i——n 次曝光管電流時(shí)間積讀數(shù)平均值，單位為毫安秒（mAs）； Kn——檢測(cè)總次數(shù)。A.2.7 AEC響應(yīng)A.2.7.1 確保設(shè)備完成 X 射線管預(yù)熱。A.2.7.2 移除濾線柵，調(diào)節(jié) SID 為 100 cm（床）

10、/180 cm（胸片架） ，設(shè)置照射野覆蓋需要檢測(cè)的電離室（或全部電離室） 。A.2.7.3 將 20 mm 鋁板安裝在束光器出口。A.2.7.4 檢測(cè)儀的探頭盡量接近探測(cè)器表面，探頭不要遮擋電離室，保證電離室只對(duì)穿過(guò)模體的射線響應(yīng)。A.2.7.5 設(shè)置管電壓為 80 kV 或最接近檔，選定要測(cè)試的電離室（或全部電離室） 。進(jìn)行AEC 曝光，曝光 5 次，記錄對(duì)應(yīng)的空氣比釋動(dòng)能。A.2.7.6 在束光器出口加裝 1.5 mm 銅板，重復(fù)