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1、場(chǎng)致發(fā)射陣列陰極的工作原理使得它與傳統(tǒng)真空陰極相比,具有許多優(yōu)點(diǎn),如:冷陰極,抗輻射,高電流密度,低電壓調(diào)制,啟動(dòng)快等。但目前場(chǎng)發(fā)射陣列陰極由于工藝技術(shù)的局限,很難保證每一個(gè)場(chǎng)發(fā)射單元都具有相同的發(fā)射能力,導(dǎo)致陣列陰極在工作時(shí),發(fā)射單元發(fā)射的電流密度不均勻,部分陰極發(fā)射電流密度較高,電流負(fù)載過(guò)大,易出現(xiàn)損毀,導(dǎo)致真空放電使發(fā)射體陣列被破壞,大大地縮短了器件的使用周期。為了保護(hù)場(chǎng)發(fā)射器件,改善場(chǎng)發(fā)射性能并延長(zhǎng)器件壽命,本論文設(shè)計(jì)了一種基于
2、擴(kuò)散法的場(chǎng)發(fā)射陣列陰極穩(wěn)流PN結(jié)結(jié)構(gòu),通過(guò)理論計(jì)算與軟件模擬得到工藝要求與參數(shù),并通過(guò)PN結(jié)的制備工藝,研究分析了對(duì)該穩(wěn)流結(jié)構(gòu)性能產(chǎn)生影響的因素,具體包括:
1、PN結(jié)穩(wěn)流結(jié)構(gòu)研究、設(shè)計(jì)與模擬。利用PN結(jié)反向特性,設(shè)計(jì)場(chǎng)發(fā)射陣列陰極的穩(wěn)流結(jié)構(gòu),計(jì)算了PN結(jié)反向飽和電流以及影響反向飽和電流的因素,確定了該結(jié)構(gòu)需要的參數(shù)要求。并通過(guò)工藝仿真軟件模擬了穩(wěn)流PN結(jié)制備工藝,得到了擴(kuò)散工藝過(guò)程與PN結(jié)方阻、結(jié)深和反向I-V特性曲線的關(guān)系
3、,并以此指導(dǎo)實(shí)驗(yàn)的展開(kāi)。
2、穩(wěn)流PN結(jié)制備工藝研究與性能測(cè)試。利用擴(kuò)散法摻雜制備PN結(jié),研究擴(kuò)散過(guò)程中的擴(kuò)散溫度,擴(kuò)散時(shí)間以及氣體流量對(duì)制備的PN結(jié)性能和反向I-V特性曲線的影響。分析結(jié)果表明,擴(kuò)散工藝中的溫度,時(shí)間和氣體流量對(duì)硅基片摻雜過(guò)程和摻雜均勻性有較明顯的影響,摻雜量的變化將影響反向I-V特性曲線。該結(jié)果與仿真軟件模擬結(jié)果大體一致,并由此確定了穩(wěn)流PN結(jié)的制備工藝參數(shù)。
3、Spindt型陣列陰極工藝研究與
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