O1下圖所示之符號用來表示石英振盪器。X2下圖正圓形在流程圖符號中代表為終端開始符號。X3下圖所示之圖形若用布林代數(shù)BOOLEAN來表示則為FAB。O4網(wǎng)路架構(gòu)中下圖表示為匯流排圖形。X5下圖所示之符號用來表示電池。O6下圖所示之流程圖符號用來表示處理。O7下圖所示之符...
下載價格：9 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設(shè)計 / 發(fā)布時間：2024-03-14 / 9人氣
有源器件與無源器件的區(qū)別有源器件與無源器件的區(qū)別簡單地講就是需能（電）源的器件叫有源器件，無需能（電）源的器件就是無源器件。有源器件一般用來信號放大、變換等，無源器件用來進行信號傳輸，或者通過方向性進行“信號放大”。容、阻、感都是無源器件，IC、模...
下載價格：3 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設(shè)計 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 12人氣
規(guī)范代碼器件應(yīng)力降額標準器件應(yīng)力降額標準版本V10研發(fā)部執(zhí)筆人研發(fā)三部XXX研發(fā)部器件應(yīng)力降額規(guī)范XXX電力系統(tǒng)技術(shù)有限公司XXX電力系統(tǒng)技術(shù)有限公司器件應(yīng)力降額標準（V10）第1頁共107頁目錄第一部分總則31前言32目的43適用范圍44關(guān)鍵詞45引用參考標準或資料46產(chǎn)品等...
下載價格：9 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設(shè)計 / 發(fā)布時間：2024-03-12 / 7人氣
ACTELCPATIONACTEL阿卡特公司（美）1ADVANCEDMICRODEVICESINCAMD超威半導(dǎo)體公司（美）2ADVANCEDANALOGICTECHNOLOGIESINCANALOGTECH研諾邏輯科技有限公司（美）8ADVANCEDLINEARDEVICESINCALD高級線性電子器件公司（美）9ADVANCEDELECTRONICPACKING高級電子封裝公司（...
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一貼片電阻注意事項貼片電阻注意事項（1）避免用含硫的溶液擦洗單板，目前的貼片電阻不耐硫，否則阻值會出現(xiàn)變化；（2）目前出現(xiàn)問題最多的都是電阻邊角受損，應(yīng)該避免器件受到碰撞或者膠帶撕拉。【案例案例】圖二中用高溫膠帶粘貼電阻是不對的，容易拉扯掉金屬油墨...
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絕緣柵型雙極晶體管（IGBT－INSULATEDGATEBIPOLARTRANSIST）器件因其具備良好的開關(guān)速度、較低的功耗和易于控制和驅(qū)動的特性而被廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT結(jié)構(gòu)上是一種MOSFET和雙極型晶體管的復(fù)合器件。它兼具MOSFET功率器件易于控制和驅(qū)動、開關(guān)頻率較高的優(yōu)點...
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光通訊器件FIBEROPTICS,,CONTENTS,,,,供應(yīng)商簡介,,,,基礎(chǔ)概念和原理,,,光纖及其結(jié)構(gòu),基礎(chǔ)概念,光纖分類,基礎(chǔ)概念,傳播模式為多個模式纖芯直徑為50ΜM傳輸模式可達幾百個傳輸帶寬主要受模式色散支配,只能通過一個基模纖芯細一般為9UM,10UM常見9/125零色散的特性頻帶更...
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高壓LDMOSLATERALDOUBLEDIFFUSEDMOSFET是高壓集成電路HVICHIGHVOLTAGEINTEGRATEDCIRCUIT和功率集成電路PICPOWERINTEGRATEDCIRCUIT的關(guān)鍵技術(shù)。為了與低壓電路在工藝上更好地兼容，設(shè)計具有薄外延層且能滿足一定耐壓的新型LDMOS是目前功率半導(dǎo)體技術(shù)的一個重要發(fā)展方...
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PROTEUS元器件數(shù)碼管7SEGMPX4CC四個公陰二極管顯示器1234是陰公共端7SEGMPX8CC八個公陰二極管顯示器12345678是陰公共端7SEGMPX4CA四個公陽二極管顯示器1234是陽公共端7SEGMPX8CA八個公陽二極管顯示器12345678是陽公共端共陰極數(shù)碼表UDISPCODE0X3F0X060X5B0X4F0X660X6...
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第頁潮濕敏感器件潮濕敏感器件MSD控制控制1深圳瑞斯康達科技發(fā)展有限公司一一器件封裝知識器件封裝知識二二潮濕敏感原理和案例潮濕敏感原理和案例三三潮濕標準潮濕標準四四企業(yè)內(nèi)部的潮敏器件控制規(guī)范企業(yè)內(nèi)部的潮敏器件控制規(guī)范五五潮濕器件常用英文知識說明潮濕器...
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JFET，MOSFET，MESFET，CMOS器件的比較與發(fā)展趨勢姓名鄧旭光學(xué)號S201002040摘要JFET，MOSFET，MESFET，CMOS是傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件，是靠多數(shù)載流子傳導(dǎo)電流的器件。因此具備較好的高頻特性，功率特性，抗輻射能力強。由于其硅基工藝而在集成電路制造中廣泛使用。集成電...
下載價格：6 賞幣 / 發(fā)布人： 世中仙 / 發(fā)布時間：2024-03-17 / 14人氣
光無源器件百科名片百科名片光無源器件光無源器件是光纖通信設(shè)備的重要組成部分，也是其它光纖應(yīng)用領(lǐng)域不可缺少的元器件。具有高回波損耗、低插入損耗、高可靠性、穩(wěn)定性、機械耐磨性和抗腐蝕性、易于操作等特點，廣泛應(yīng)用于長距離通信、區(qū)域網(wǎng)絡(luò)及光纖到戶、視頻傳...
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本文圍繞SOI高壓器件的耐壓問題，從理論模型和器件結(jié)構(gòu)兩方面展開創(chuàng)新研究。首次提出了兩項耐壓理論SRESURFSINGLEREDUCEDSURFACEFIELD高壓器件全域耐壓模型和DRESURFDOUBLEREDUCEDSURFACEFIELD高壓器件統(tǒng)一耐壓模型，設(shè)計了兩種新結(jié)構(gòu)器件埋氧層固定電荷結(jié)構(gòu)和局域電...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： Quenn女王 / 發(fā)布時間：2024-03-12 / 18人氣
采用的SISIGEPMOSFET結(jié)構(gòu)增加溝道內(nèi)空穴的遷移率，從而提高跨導(dǎo)、減小PMOS管版圖面積，提高芯片的集成度、降低功耗首先在一定近似條件下，建立了一個簡單的SIGEPMOSFET的解析模型，并此基礎(chǔ)上，對器件的縱向結(jié)構(gòu)進行了理論分析，得出氧化層和蓋帽層與開啟電壓VR和跨...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 天分 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 13人氣
1半導(dǎo)體分立器件半導(dǎo)體分立器件半導(dǎo)體器件是近50年來發(fā)展起來的新型電子器件，具有體積小、重量輕、耗電省、壽命長、工作可靠等一系列優(yōu)點，應(yīng)用十分廣泛。1）國產(chǎn)半導(dǎo)體器件型號命名法國產(chǎn)半導(dǎo)體器件型號由五部分組成，如表113所示。半導(dǎo)體特殊器件、場效應(yīng)器件、復(fù)...
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成績構(gòu)成實驗20作業(yè)10卷面70考試方式全開卷，可帶教材、講義、筆記等資料考試題型選擇4050題，簡答67題由于期末開卷考試成績差異不大，因而本課程得分關(guān)鍵在于兩次實驗及其實驗報告，分別是MOSFET管與IGBT的特性測試，涉及實驗原理、波形圖的繪制以及相應(yīng)分析，是電...
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近幾十年以來，人類社會經(jīng)歷了三次半導(dǎo)體材料帶動的產(chǎn)業(yè)革命。第一代SI、GE材料、第二代GAAS材料和INP以及第三代寬禁帶GAN和SIC材料分別引領(lǐng)了微電子領(lǐng)域的發(fā)展浪潮，實現(xiàn)了技術(shù)上的三次飛躍。GAN以其較高的禁帶寬度、高擊穿電場等優(yōu)勢，使GAN高電子遷移率晶體管HEMT...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： Sober清醒 / 發(fā)布時間：2024-03-08 / 30人氣
通用元器件列表通用元器件列表攝像頭組攝像頭組光電組光電組直立傳感器直立傳感器重力加速度計（模擬或數(shù)重力加速度計（模擬或數(shù)字的，芯片必須為官方指字的，芯片必須為官方指1個主控芯片（主控芯片（CPU）XS128或K601片下載器下載器BDM（XS128用）或用）或JLINKK60...
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碳化硅（SIC）優(yōu)良的材料特性，使其十分適用于制作大功率高速的開關(guān)器件，例如金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFETS）。目前國內(nèi)諸多研究小組已經(jīng)展開了SICMOSFETS的研制，然而國內(nèi)研制的這批器件正向電流特性普遍較差。本文立足于國內(nèi)碳化硅工藝實驗平臺，開展高...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 回去吧 / 發(fā)布時間：2024-03-05 / 10人氣
各種無損檢測方法都有其適用范圍，互相之間往往不能完全相互替代，沒有哪一種方法是萬能的，任何一種檢測方法都不可能給出所需要的全部信息。表面檢測PT滲透檢測可檢測的缺陷必須延伸到表面，設(shè)備簡單操作方便，適用范圍廣，適用于非多孔結(jié)構(gòu)的金屬及非金屬材料的檢...
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