碳化硅特性碳化硅是一種人工合成的碳化物，分子式為SIC。通常是由二氧化硅和碳在通電后2000℃以上的高溫下形成的。碳化硅理論密度是318GCM3，其莫氏硬度僅次于金剛石，在9298之間，顯微硬度3300KGMM3，由于它具有高硬度、高耐磨性、高耐腐蝕性及較高的高溫強度等特點...
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碳化硅擾動噴嘴應用說明_碳化硅擾動噴嘴的優(yōu)勢摘要碳化硅擾動噴嘴是火力發(fā)電廠、大型鍋爐，脫硫除塵成套裝置的關鍵部件。山東中鵬碳化硅擾動噴嘴包裝保證在運輸、裝卸過程中完好無損，并有減振、防沖擊的措施。關鍵詞碳化硅噴嘴碳化硅擾動噴嘴碳化硅擾動噴嘴以其耐腐...
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碳化硅功率器件張玉明張義門西安電子科技大學微電子所（西安710071）1引言123目前幾乎所以的功率系統(tǒng)中都采用硅器件毫無疑問成熟的硅工藝技術是硅器件的最大的優(yōu)勢。然而硅器件的功率性能將不會有太大的提高，這是因為硅器件的電特性已接近材料物理特性的極限。首先...
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碳化硅螺旋噴嘴效果圖_碳化硅螺旋噴嘴結構特點碳化硅螺旋噴嘴是一種典型的撞擊式分散噴霧，噴嘴內部沒有結構，是一個暢通的通道，水流是通過撞擊螺旋的分層界面，從而產(chǎn)品分層噴淋。以下是碳化硅螺旋噴嘴的特點1、不易堵塞螺旋噴嘴沒有內部結構，廢氣廢水中的雜質可...
南開大學碩士學位論文碳化硅晶體載流子濃度的分析及多孔碳化硅的制備姓名王光紅申請學位級別碩士專業(yè)凝聚態(tài)物理指導教師王玉芳20070501中文摘要利用X射線反射譜分析了多孔碳化硅的孔隙率，與SEM觀測到的結果符合得較好。關鍵字碳化硅拉曼光譜載流子濃度多孔碳化硅IL
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攀枝花學院本科課程設計碳化硅冶煉工藝設計學生姓名______王鑫林學生學號_____201311101079院（系）______材料工程學院年級專業(yè)2013級材料科學與工程3班指導教師李亮助理指導教師二〇一六年十月攀枝花學院本科課程設計（論文）摘要I摘要碳化硅是用石英砂、石油焦、木...
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華中科技大學博士學位論文納米碳化硅薄膜和納米碳化硅晶須的光電性質研究姓名張洪濤申請學位級別博士專業(yè)微電子學與固體電子學指導教師徐重陽2002712華中科技大學博士學位論文釋。認為這一現(xiàn)象主要是AUGER過程所導致。其次，拉曼受激散射的閩值大為降低，表明納米碳...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 風起只觀風雨落只聽雨 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 6人氣
【新產(chǎn)品】碳化硅噴嘴的價格多少錢_碳化硅噴嘴廠家哪家好碳化硅噴嘴是噴淋、噴霧、噴油、噴砂設備里很關鍵的一個部件，有些可能是主要部件，碳化硅噴嘴的種類可以根據(jù)系統(tǒng)的需要和安裝方式來區(qū)分。在這里介紹一下碳化硅噴嘴的選用以及安裝高度。1、碳化硅噴嘴選用為...
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自從CNTS的成功合成以來，一維納米材料的研究引起了世界范圍內的廣泛關注。碳化硅SIC，由于獨特的電學、光學和力學性能，受到了人們的強烈關注，成為一個十分活躍的課題。本論文以制備SIC和稀土摻雜SIC光電納米材料以及探索SIC納米結構的選擇區(qū)域生長為研究目標，主...
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碳化硅SIC陶瓷具有高熔點、高硬度、耐磨損和強度高等優(yōu)點是重要的高溫結構材料之一。反應燒結碳化硅RBSC材料可以作為密封件、熱交換器件和噴嘴等材料。但是由于普通RBSC陶瓷的原料雜質含量高、粒徑分布寬及成型工藝和燒結工藝的多樣化等導致RBSC材料的性能不高。超細...
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碳化硅脈沖噴嘴價格一覽表_碳化硅脈沖噴嘴生產(chǎn)廠家說明碳化硅脈沖噴嘴用于電廠脫硫方面，碳化硅脈沖噴嘴除去電廠煙氣中的二氧化硫及一些污染氣體，燃煤電廠的煙氣和燃煤聯(lián)合循環(huán)中燃氣供燃氣輪機燃用都有一項共同任務，即脫硫除硝當然還有除塵。電廠排出的不經(jīng)脫硫除...
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1,國內外碳化硅電力電子進展,ICCHINA2010CETC第五十五研究所李宇柱2010年10月23日,2,一、碳化硅的市場二、國外技術進展三、我國發(fā)展狀況四、發(fā)展建議,內容提要,3,碳化硅相比于硅的優(yōu)勢,與硅相比，碳化硅（4HSIC）具有10倍以上的臨界電場強度3倍禁帶寬度3倍的熱導率,,...
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本論文針對陶瓷復合裝甲的發(fā)展和研究現(xiàn)狀，立足于工作單位的設備等軟硬件實際條件，采用實際靶試試驗與數(shù)值模擬相結合的方式，對碳化硅陶瓷的抗彈性能進行了系統(tǒng)化研究，最后獲取碳化硅陶瓷抗彈性能的一些基本規(guī)律。根據(jù)以往陶瓷類復合裝甲的設計、研究經(jīng)驗，陶瓷材...
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東北大學碩士學位論文碳化硅材料的膠態(tài)成型研究姓名王濤申請學位級別碩士專業(yè)材料學指導教師茹紅強20040101東北大學碩士學位論文摘要得的坯體在工廠氮化燒結后，燒成的成品性能較為優(yōu)異，其體積密度達2629／CM’、強度達45～IPA。經(jīng)XRAY衍射分析顯示材料的主要物相是...
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相比于傳統(tǒng)硅SI材料，碳化硅SIC因其更寬的禁帶寬度326EV、更高的熱導率和更高的臨界擊穿場強，在大功率開關電路和電力系統(tǒng)應用領域得到了廣泛的關注。SIC功率器件最突出的性能優(yōu)勢在于其高壓、高頻和高溫工作特性，可以有效地降低電力電子系統(tǒng)的功率損耗。目前，國際...
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當前，隨著電力系統(tǒng)的智能化發(fā)展和能源互聯(lián)網(wǎng)的構建，電力電子設備的應用越來越引起人們的重視。功率開關器件作為功率變換器中的重要組件，其成熟程度也決定了電力電子設備的發(fā)展程度。目前常用的MOSFET、IGBT等功率開關器件均是以硅型半導體為基礎的，但是由于硅材...
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碳化硅作為所謂第三代半導體材料的一種具有優(yōu)越的電學、熱學性質寬帶隙、高飽漂移速度、高截至電壓、高熱導率等等因而在高溫、高頻、高壓和大電流場合下有非常好的應用前景該文在碳化硅器件的研制碳化硅一氧化物（SIO）界面性質的研究以及器件模型的建立和實現(xiàn)等三方...
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SIC半導體材料是第三代寬帶隙WBP半導體材料。由于具有寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等優(yōu)異的性質所以在高溫、高頻、大功率、光電子及抗輻射等方面具有巨大的應用前景。本論文在對碳化硅納米材料的合成、應用等方面的發(fā)展現(xiàn)狀進行充分調研...
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本文采用硅粉、碳粉和氮氣為原料，以氮化硅作為稀釋劑，氯化銨為添加劑，采用自蔓燃高溫合成的方法制備氮化硅碳化硅復合粉體。通過調整硅粉和碳粉的添加量能獲得不同成分配比的復合粉體。將自蔓燃合成的復合粉體加入一定量的燒結助劑（氧化鋁和氧化釔）后進行粉體處...
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