SRIM程序介紹SRIM是一組程序，計(jì)算制止和各種離子進(jìn)入問(wèn)題。方法采用全量子力學(xué)治療離子原子碰撞。（SRIM總是REFERES的運(yùn)動(dòng)原子的“離子”，和所有目標(biāo)原子作為“原子”）SRIM包括兩個(gè)主要項(xiàng)目，和一些特殊用途的程序。SR（表制止和范圍離子在簡(jiǎn)單的目標(biāo)）。快速創(chuàng)建...
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使用SRIM發(fā)泡工藝生產(chǎn)汽車內(nèi)飾件時(shí)，會(huì)存在諸多問(wèn)題，而解決問(wèn)題的關(guān)鍵在于模具的設(shè)計(jì)。本文依托某汽車內(nèi)飾制造企業(yè)，對(duì)汽車內(nèi)飾件SRIM發(fā)泡模具的設(shè)計(jì)問(wèn)題進(jìn)行了探討和研究，具體如下1總結(jié)企業(yè)在生產(chǎn)中遇到的主要問(wèn)題，分析問(wèn)題產(chǎn)生的原因并提出解決方法由于模具是解...
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本文研究了質(zhì)子輻照GAAS太陽(yáng)能光電池的電學(xué)特性。通過(guò)深能級(jí)瞬態(tài)譜DLTS電流電壓IV電容電壓CV測(cè)試并配合SRIM理論模擬對(duì)不同能量的質(zhì)子輻照造成的電池?fù)p傷特性進(jìn)行了研究。其主要結(jié)果如下1、通過(guò)對(duì)輻照樣品進(jìn)行IV測(cè)試發(fā)現(xiàn)對(duì)于不同能量40701001704000KEV相同輻照強(qiáng)度的...
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SOISILICONONINSULAT是在體硅材料與硅集成電路巨大成功的基礎(chǔ)上出現(xiàn)的一種新型材料，是一種具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)、能突破體硅材料與硅集成電路限制的新技術(shù)。SOI材料具有高速、低壓、低功耗、耐高溫等優(yōu)點(diǎn)，是解決超大規(guī)模集成電路功耗危機(jī)的關(guān)鍵技術(shù)。集SOI技術(shù)、微電子技術(shù)...
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INP基高電子遷移率場(chǎng)效晶體管（HEMT）具有電子遷移率高，噪聲低，功耗低以及增益高等優(yōu)點(diǎn)，在國(guó)防航天和衛(wèi)星雷達(dá)等空間應(yīng)用中具有極大的潛力。器件在空間輻照環(huán)境中應(yīng)用時(shí)，將不可避免地受到各種粒子輻照的影響，且質(zhì)子是空間環(huán)境中含量極為豐富的輻射粒子，研究INP...
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本文使用雙層輝光離子滲金屬技術(shù)，在TIAL合金表面進(jìn)行滲CR處理。通過(guò)優(yōu)化工藝參數(shù)，得到與基體結(jié)合良好，具有一定厚度的滲CR層。分析表面合金層的成分、組織、結(jié)構(gòu)；對(duì)合金層的摩擦學(xué)性能進(jìn)行考察，試驗(yàn)方式包括室溫微動(dòng)磨損及高溫球盤磨損；在650℃、900℃、1000℃...
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本文通過(guò)PC1D程序擬合電子、質(zhì)子輻照下GAINPGAASGE太陽(yáng)電池外量子效率獲得GAINPGAASGE太陽(yáng)電池的多數(shù)載流子去除率和少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度損傷系數(shù)。通過(guò)研究多數(shù)載流子去除率和少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度損傷系數(shù)對(duì)GAINPGAASGE太陽(yáng)電池電學(xué)性能的影響，進(jìn)而揭示太陽(yáng)電池載流子...
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利用TIA450型強(qiáng)流脈沖離子束設(shè)備粒子束構(gòu)成C70％H30％，在輻照參數(shù)脈沖電壓250KV、束流密度170～200ACM2、能量密度2～3JCM2、脈寬80NS下，分別對(duì)變形鎂合金AZ31的鑄態(tài)和擠壓態(tài)靶材進(jìn)行1，5，10，20，30，50和100次輻照實(shí)驗(yàn)。利用SRIM程序模擬C、H離子入射AZ31靶材的...
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隨著空間飛行器技術(shù)的迅速發(fā)展，對(duì)太陽(yáng)電池提出了更高的要求。在單晶硅、單結(jié)砷化鎵太陽(yáng)電池廣泛應(yīng)用后，開始了更高效率的三結(jié)砷化鎵太陽(yáng)電池的研究與開發(fā)，目前三結(jié)砷化鎵太陽(yáng)電池國(guó)內(nèi)實(shí)驗(yàn)室的轉(zhuǎn)換效率已接近32％AM0，25℃，將廣泛應(yīng)用于空間工程。為了滿足空間應(yīng)用...
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金屬玻璃因其無(wú)序結(jié)構(gòu)有利于抵抗離子輻照誘發(fā)的損傷，表現(xiàn)出較好的耐輻照性能而成為近年來(lái)的研究熱點(diǎn)。高電荷態(tài)離子具有的輻照速率快、強(qiáng)度高等優(yōu)勢(shì)成為模擬材料輻照損傷的有力手段。本文采用能量為3MEV的高電荷態(tài)AR12離子輻照金屬玻璃CU47ZR45A18985Y15、AL75CU178N...
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強(qiáng)流脈沖離子束HIPIB與材料交互作用的基礎(chǔ)研究具有重要的科學(xué)意義，同時(shí)強(qiáng)流脈沖離子束在表面工程領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。本論文對(duì)HIPIB輻照材料的能量沉積規(guī)律及熱學(xué)效應(yīng)進(jìn)行了模擬，對(duì)HIPIB輻照鈦合金的熱力學(xué)效應(yīng)進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究，獲得了HIPIB表面改性的機(jī)理及控...
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隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的迅猛發(fā)展，器件特征尺寸不斷縮小。當(dāng)集成電路工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)達(dá)到32NM時(shí)，目前主流的基于電荷存儲(chǔ)機(jī)制的存儲(chǔ)器FLASH的存儲(chǔ)機(jī)理逐漸接近物理極限。主要原因是隧穿氧化層厚度越來(lái)越薄，漏電流越來(lái)越大，導(dǎo)致隧穿氧化層無(wú)法有效存儲(chǔ)電荷。近年來(lái)，新型...
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本文采用單輥旋淬法制備了AL92XFEXCE8X025非晶合金條帶然后分別在170KEV的氮離子和質(zhì)子下輻照輻照劑量取三組分別為51015、11016和21016CM2。借助X射線衍射分析XRD差示掃描量熱儀DSC透射電子顯微鏡和納米壓痕等手段分析輻照前后的ALFECE非晶合金條帶微觀組織及相關(guān)性...
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蘭州大學(xué)博士學(xué)位論文金屬環(huán)境中D（D，P）T反應(yīng)的屏蔽效應(yīng)及氘沉積行為研究姓名呂會(huì)議申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別博士專業(yè)物理學(xué)粒子物理與原子核物理指導(dǎo)教師王鐵山20100501蘭州大學(xué)博士研究生學(xué)位論文密度分布模型計(jì)算所得結(jié)果均小于氘密度分布為常數(shù)時(shí)的計(jì)算結(jié)果。研究發(fā)現(xiàn)在YB...
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光波導(dǎo)即為折射率高的區(qū)域被折射率低的區(qū)域包裹而成的結(jié)構(gòu)，它可以把光限制在較小的區(qū)域內(nèi)傳播以提高光密度，從而更好的利用非線性晶體的非線性性質(zhì)或者降低激光材料的泵浦閾值。光波導(dǎo)是集成光學(xué)的基本單元，同時(shí)也是全光網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)幕A(chǔ)，以其獨(dú)特的性能、高集成化...
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與傳統(tǒng)成像手段相比，合成孔徑雷達(dá)（SAR）具有全天候、全天時(shí)的特點(diǎn)。SAR在現(xiàn)代武器裝備中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用，常用于飛行器末段數(shù)字式景象匹配制導(dǎo)。在實(shí)用的景象匹配系統(tǒng)中，參考圖與實(shí)時(shí)圖大多由異源SAR傳感器拍攝獲取，而這些異源傳感器具有不同的分辨力、不...
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