含季銨鹽側(cè)鏈液晶離聚物的合成及性能研究.pdf

1、東北大學(xué)博士學(xué)位論文含季銨鹽側(cè)鏈液晶離聚物的合成及性能研究姓名：佟斌申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：博士專業(yè)：礦物加工工程指導(dǎo)教師：羅茜張寶硯2002.12.1東北大學(xué)博士學(xué)位論文摘要吡啶酯(IVM)H2c：g一譬o—纊沁3一。彭、：皇型皇型烯丙基三乙基溴化胺HOQ(ATAB)H2c2CCH2N(CH2CH3)3ByN烯丙基溴化吡啶H，c=g—H2』淞BP(NAPB)H2c2c—c—N7臥溴化N乙基4烯丙氧O。專震艨，4’。雌酯鄴一HcH一2。≮≯4一。

2、屯‰吼≯)通過(guò)紅外光譜、核磁共振對(duì)所合成的單體及聚合物進(jìn)行了結(jié)構(gòu)的表征?？峁砻鳎汉铣沙龅膯误w及聚合物與設(shè)計(jì)的單體及聚合物結(jié)構(gòu)～致。通過(guò)差示量熱掃描儀(DSC)、熱失重分析儀(TGA)表征聚合物的熱性質(zhì)。通過(guò)差示量熱掃描儀(DSC)、偏光顯微鏡(POM)及x射線衍射等手段對(duì)液晶聚合物的介晶性質(zhì)進(jìn)行了表征。／第1類和第1I類液晶離聚物都具有液晶特性。兩類液晶離聚物的清亮點(diǎn)隨液晶基元末端烷氧基碳原子數(shù)的增加呈明顯的奇偶效應(yīng)。與普通的側(cè)鏈液晶

3、高分子的變化規(guī)律相似。當(dāng)末端烷氧基碳原子數(shù)超過(guò)3以后，熔點(diǎn)迅速降低，液晶區(qū)問(wèn)明顯增大。對(duì)于液晶離聚物PAIM4。l—PAIM4—6(離子單體濃度從260％一777％)，隨離子單體濃度的增加，熔點(diǎn)先迅速增加，當(dāng)離子濃度達(dá)464％后，緩慢降低：清亮點(diǎn)隨離子單體濃度的增加開(kāi)始時(shí)基本保持常數(shù)值，當(dāng)離子單體濃度達(dá)464％后，緩慢降低。隨離子單體濃度的增加，液晶離聚物的介晶區(qū)間降低。對(duì)于液晶離聚物PAIIM4一卜PAIIM44(離子單體濃度從157

4、％—636％)，隨著離子單體濃度的增加，熔點(diǎn)增加；清亮點(diǎn)(Tc)先是迅速增加，當(dāng)濃度超過(guò)260％后，緩慢降低。互為同分異構(gòu)體的單體IM4和IIM4相比：?jiǎn)误w11M4具有較高的熔點(diǎn)。以IlM4為介晶單體獲得的離聚物的熔點(diǎn)高于以IMa為介晶單體獲得的離聚物的熔點(diǎn)。液晶離聚物PAIIMI2一PAIIM5—2的單向性可以通過(guò)介晶基元末端鏈的增長(zhǎng)改變?yōu)殡p向性液晶離聚物。第三類離聚物不論是低離子濃度的離聚物，還是高離子濃度的離聚物都不具有液晶特性。