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文檔簡介
1、準一維納米半導體材料具有優(yōu)異的電學和光學性質(zhì),引起了人們廣泛的研究興趣。在寬禁帶半導體材料中,II-VI族的氧化鋅(ZnO)和硒化鋅(ZnSe)尤為引人注目。
1、氧化鋅納米結(jié)構(gòu)
本文將運用氣相沉積方法系統(tǒng)研究一維ZnO納米結(jié)構(gòu)的合成,利用場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FESEM)、X射線能譜分析(EDX)、高分辨透射電子顯微鏡(HRTEM)、選區(qū)電子衍射(SAED)、光致發(fā)光能譜儀(PL)等對所合成ZnO納米線、納米棒陣列
2、、納米薄膜進行表征,同時運用微納加工手段制備了基于n型氧化鋅納米棒陣列和單層石墨烯的金屬的半導體肖特基二極管,并對器件的電學和光學特征進行了深入詳細的研究。
2、硒化鋅納米結(jié)構(gòu)
論文對準一維ZnSe納米材料的可控摻雜及納米光電子器件也進行了系統(tǒng)的研究。通過在熱蒸發(fā)過程中引入Sb元素,我們實現(xiàn)了準一維硒化鋅納米線的p型可控摻雜,對合成的摻雜納米結(jié)構(gòu)的形貌、物相以及成分等進行了表征。并基于摻雜準一維ZnSe納米材料構(gòu)筑了
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