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文檔簡介
1、高溫是制約植物生長的主要環(huán)境因子之一.硅能夠提高植物的耐旱性和耐熱性,但其機制仍不清楚.為研究硅對提高植物抗高溫環(huán)境的影響,我們應用不同濃度的Na<,2>SiO<,3>作為硅源施入植物根部,用紅外熱象儀測定匍匐型剪股穎的葉表溫度,比較施硅處理與對照植株的耐熱性差異.為驗證硅的降溫作用主要是沉積在葉片外表皮的SiO<,2>的紅外熱輻射造成的,而不同的硅源處理和施用方式在紅外熱輻射特性上沒有差異,我們人工合成了兩個尺度的SiO<,2>納米球
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