低溫制備銀納米線及其電學(xué)性能的研究.pdf

1、銀納米線(Ag NWs)由于具有高導(dǎo)電性、高透光性、耐曲饒性、高化學(xué)活性等特性，在太陽(yáng)能電池、發(fā)光二極管、液晶顯示器、催化劑等方面存在巨大的應(yīng)用前景。目前合成銀納米線的主要方法為水熱法，但使用水熱法合成銀納米線普遍存在一些問(wèn)題，如水熱溫度高、產(chǎn)物形貌不均一等。論文采用超重力技術(shù)結(jié)合低溫水熱法合成銀納米線，并將其用于制備銀納米線薄膜和銀納米線/聚氨酯復(fù)合薄膜材料，研究制備工藝條件對(duì)銀納米線形貌結(jié)構(gòu)，銀納米線薄膜材料電學(xué)和光學(xué)性能，以及銀納

2、米線/聚氨酯復(fù)合薄膜材料電學(xué)和光學(xué)性能的影響。論文主要結(jié)論如下。
　　以硝酸銀為銀源，檸檬酸鈉為還原劑，PVP、SDS為結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑采用低溫水熱法合成了銀納米線。研究制備工藝條件對(duì)銀納米線形貌的影響，確定了適宜工藝條件為:水熱溫度為100℃;水熱時(shí)間4h;AgNO3的濃度為1mmol/L;PVP的濃度為6mmol/L;SDS的濃度為2mmol/L。制備得到了平均直徑為30nm，長(zhǎng)徑比約500的銀納米線，產(chǎn)物中除了銀納米線外，還有較多

3、的銀納米顆粒。
　　采用超重力技術(shù)結(jié)合低溫水熱法制備了長(zhǎng)徑比均一的銀納米線。研究制備工藝條件對(duì)銀納米線形貌的影響，確定了適宜工藝條件為:RPB溫度為80℃;RPB反應(yīng)時(shí)間為0.5min;RPB轉(zhuǎn)速為1500r/min;水熱溫度為100℃;水熱時(shí)間2h;AgNO3的濃度為3mmol/L;PVP的濃度為18mmol/L;SDS的濃度為6mmol/L。制備得到了平均直徑為30nm，長(zhǎng)徑比約830的銀納米線。與單一采用水熱法的制備工藝相比

4、，結(jié)合超重力技術(shù)制備的銀納米線長(zhǎng)徑比更高、形貌更均一，產(chǎn)物中銀納米顆粒較少，且水熱時(shí)間短，從4h縮短至2h。
　　采用旋涂法制備了銀納米線薄膜及銀納米線/聚氨酯復(fù)合薄膜材料。研究了旋涂工藝條件對(duì)兩種薄膜材料電學(xué)和光學(xué)性能的影響。當(dāng)銀納米線濃度為1.5mg/mL、旋涂轉(zhuǎn)速為2000r/min、薄膜厚度為300nm時(shí)，制備得到了可見(jiàn)光透過(guò)率為80.7％，表面方阻為140Ω/□的銀納米線透明導(dǎo)電薄膜材料，與單一采用水熱法制備的銀納米線薄