大尺寸硼酸鹽非線性光學(xué)晶體生長研究.pdf

1、該文對BBO晶體生長過程中揮發(fā)物的影響做了深入研究.使用XRD、DTA分析了揮發(fā)物的組成及熔點(diǎn),使用體視顯微鏡、高分辨率ICP質(zhì)譜儀、掃描電子顯微鏡以及掃描電子探針微區(qū)成分分析等方法對包裹體形貌及成分進(jìn)行分析,提出了在晶體生長過程中由于揮發(fā)物掉落在晶體表面從而導(dǎo)致晶體內(nèi)部出現(xiàn)大顆粒包裹體的形成機(jī)理.選用了不同的溫度梯度進(jìn)行BBO晶體生長對照實(shí)驗(yàn),發(fā)現(xiàn)在較大的溫度梯度中生長出的BBO晶體,無論在晶體尺寸和晶體品質(zhì)方面都優(yōu)于在溫度梯度小中生

2、長的BBO晶體.探討了溫度梯度對高溫溶液粘度、流體狀態(tài)以及晶體生長形態(tài)等方面的影響.從Cs<,2>O-B<,2>O<,3>二元體系相圖出發(fā),研究了以碳酸銫和硼酸為原料合成晶體生長原料CsB<,3>O<,5>的固相合成反應(yīng).使用XRD研究了固相反應(yīng)溫度對目標(biāo)合成物的影響以及利用稱重法分析生長原料在固相合成階段失重量與燒結(jié)溫度和燒結(jié)時(shí)間的關(guān)系,從中選擇CBO晶體生長料的最佳合成溫度是700℃.按合適比例配料,采用泡生法從CsB<,3>O<,

3、5>熔體中生長出尺寸為55mm×30mm×15mm的CBO透明晶體.對晶體生長過程中的揮發(fā)物進(jìn)行收集并使用XRD和DTA分析揮發(fā)物的成分及熔點(diǎn)并測量了揮發(fā)物隨時(shí)間變化的失重量,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：揮發(fā)物的主要成分是Cs<,2>O,揮發(fā)物的失重率隨晶體生長的延續(xù)逐漸減小.探討了揮發(fā)物對CBO晶體生長的影響,提出了通過改變原料配比以減少由于組分揮發(fā)引起晶體品質(zhì)下降的途徑.首次利用同步輻射X射線白光衍射貌像術(shù)對CBO晶體的生長層缺陷進(jìn)行研究.研究了