基于CA模型的單晶硅各向異性腐蝕微觀模擬.pdf

1、單晶硅各向異性腐蝕技術是MEMS技術的核心工藝之一，精確地對各向異性腐蝕的結果進行計算機模擬，對MEMS工藝水平的提高具有重要的意義。 本文在VC環(huán)境下，根據(jù)3-D動態(tài)連續(xù)CA算法抽象了硅各向異性腐蝕模型，利用面向?qū)ο缶幊陶Z言實現(xiàn)了用戶對圖形的靈活操作，利用OpenGL技術實現(xiàn)了圖形的繪制和腐蝕過程的三維動態(tài)顯示，建立了硅各向異性腐蝕的三維動態(tài)模擬系統(tǒng)，從微觀角度模擬了硅各向異性腐蝕的動態(tài)過程。本文首先分別建立了基于靜態(tài)和動態(tài)存

2、儲方式單晶硅各向異性腐蝕微觀模擬。通過分析單晶硅結構特點，提出了以硅晶胞為最小處理單位的設計思想，采用動靜態(tài)相結合的方式對原子進行存儲操作。根據(jù)用戶輸入腐蝕版圖尺寸，系統(tǒng)動態(tài)分配二維數(shù)組存儲原子信息，通過對每個原子信息的分析和判斷，完成硅襯底動態(tài)腐蝕模擬。在腐蝕算法中，把硅各向異性腐蝕看作硅原子的移除過程，依據(jù)原子相鄰原子和次相鄰原子的數(shù)目判斷原子所在晶面，根據(jù)用戶輸入的各晶面的腐蝕速率計算原子的生命值，當生命值為0時去除該原子。本系統(tǒng)