2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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1、自20世紀(jì)60年代末非線性光學(xué)現(xiàn)象被發(fā)現(xiàn)以來,人們對(duì)紅外非線性晶體的特性進(jìn)行了廣泛地研究,其中,對(duì)紅外非線性晶體光學(xué)頻率變換的研究備受關(guān)注。本文研究了紅外非線性晶體對(duì)9.6μm CO2激光進(jìn)行倍頻過程中的熱光耦合特性。建立了熱學(xué)各向異性介質(zhì)中的熱光耦合模型,數(shù)值模擬了GaSe、ZnGeP2、AgGaSe2三種晶體倍頻中的熱光耦合特性,研究了倍頻效率、溫度分布的演化過程,具體的研究工作如下:
  1、建立了晶體倍頻時(shí)熱光耦合模型???/p>

2、慮光束走離效應(yīng)和溫度各向異性,建立了新的熱光耦合理論模型,利用半解析法對(duì)熱傳導(dǎo)方程進(jìn)行求解,用數(shù)值傅里葉變換方法對(duì)倍頻耦合方程進(jìn)行了求解,用等效熱源的方法,通過對(duì)模型中各向異性的熱導(dǎo)率進(jìn)行迭代計(jì)算,研究了光場(chǎng)和溫度場(chǎng)的關(guān)系。
  2、理論研究了熱學(xué)各向異性晶體GaSe倍頻過程中的熱光耦合特性。GaSe晶體具有較大的熱學(xué)各向異性,橫向熱導(dǎo)率較小,在倍頻時(shí)會(huì)產(chǎn)生不可忽略的溫度梯度,而縱向熱導(dǎo)率較大,并且由于縱軸方向熱源均勻,所以溫度分

3、布比較平坦。數(shù)值分析表明,在弱制冷條件下,邊界溫度不斷增加,更多的熱量?jī)?chǔ)存在晶體中。在強(qiáng)制冷條件下,因倍頻而產(chǎn)生的熱量能夠迅速散發(fā),晶體中的熱量較少,溫度穩(wěn)定時(shí)間比弱制冷條件下大大縮短。但兩種條件下,溫度達(dá)到穩(wěn)定后晶體的溫度分布大致相同。研究表明,由于GaSe晶體對(duì)倍頻光吸收系數(shù)較大,使得溫度升高,折射率改變,相位匹配條件被破壞,相位失配,倍頻光大大減少。在弱制冷條件下,晶體轉(zhuǎn)換效率快速降低,溫度達(dá)到穩(wěn)定分布時(shí),轉(zhuǎn)換效率幾乎為0,倍頻與

4、倍頻倒轉(zhuǎn)返復(fù)過程明顯。即使在強(qiáng)制冷條件下,想要通過控制溫度來恢復(fù)倍頻轉(zhuǎn)換效率也是困難的。
  3、理論研究了ZnGeP2晶體倍頻中熱光耦合特性。ZnGeP2晶體熱學(xué)各向異性較弱,熱導(dǎo)率較大,晶體內(nèi)橫向溫度梯度相對(duì)較小,在縱軸熱源均勻的情況下,溫度分布比較平坦。數(shù)值分析表明,弱制冷條件下,溫度達(dá)到穩(wěn)定分布所需要的時(shí)間是強(qiáng)制冷情況下的230倍,最大溫升是強(qiáng)制冷條件下的34倍。兩種條件下,溫度達(dá)到穩(wěn)定時(shí),晶體的溫度分布無明顯差異。在強(qiáng)制

5、冷條件下,ZnGeP2晶體溫度場(chǎng)整體迅速達(dá)到穩(wěn)定,相位匹配效果好,轉(zhuǎn)換效率基本不受影響,輸出的諧波光束質(zhì)量較好。在弱制冷條件下,光能量的吸收以基頻光為主,倍頻光大大減少,相位失配明顯,累積的相位失配引起了晶體中倍頻的反轉(zhuǎn),溫度達(dá)到穩(wěn)定時(shí),轉(zhuǎn)換效率幾乎為零。
  4、理論研究了AgGaSe2晶體倍頻中熱光耦合特性。AgGaSe2晶體的熱導(dǎo)率較小,吸收系數(shù)相對(duì)也較小,熱學(xué)各向異性較弱。數(shù)值分析表明,在弱制冷情況,橫向溫度梯度相對(duì)較小,

6、縱軸溫度分布均勻。在功率不變的情況下,隨著束腰半徑的增加,溫度達(dá)到穩(wěn)定分布的時(shí)間有所延長(zhǎng),穩(wěn)定后的溫度分布大致相同。在束腰半徑不變的情況下,隨著基頻光功率的增加,相位失配愈加明顯,倍頻光迅速減少。當(dāng)溫度達(dá)到穩(wěn)定分布時(shí),累積的相位失配引起了晶體中倍頻與倍頻倒轉(zhuǎn)返復(fù)過程,倍頻光轉(zhuǎn)換效率迅速降低,幾乎為0。
  5、對(duì)GaSe、ZnGeP2、AgGaSe2三種典型紅外非線性晶體倍頻中熱光耦合特性進(jìn)行了對(duì)比分析。在強(qiáng)制冷情況下,ZnGeP

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