石墨烯微觀形貌的STM研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、石墨烯是一種單原子層的二維材料，其獨特電子學性質引起了廣泛的研究興趣。但石墨烯為沒有帶隙的半金屬，因此在納米電子學器件的應用受到限制。為了打開石墨烯的帶隙，研究者們付出眾多努力，其中最常見的就是人為引入缺陷結構破壞石墨烯原有的對稱性，從而有效調控石墨烯電子性質。以銅作為基底的化學氣相沉積法(CVD)是目前制備石墨烯的重要方法和手段，同時掃描隧道顯微鏡(STM)原子級分辨可以用于表征金屬襯底上石墨烯的微觀形貌。
　　第一章首先介紹了

2、石墨烯的結構以及獨特電子學性質，并簡要說明了石墨烯幾種常見的制備方法。第二章介紹了常用的表征石墨烯的實驗測量手段，重點介紹了本實驗中用于原子級形貌表征的STM的發(fā)明，發(fā)展和工作原理。第三章展示了石墨烯體系準一維條紋結構，主要分析了周期1.28nm的直線型邊界以及周期為1.2nm的鋸齒型邊界條紋結構，揭示了其成因是石墨烯的六角晶格與銅襯底的四方結構不匹配形成的超晶格，相應的STS譜（微分電導譜）發(fā)現莫爾條紋的形成使得銅襯底與石墨烯的層間耦

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