Thue-Morse序列石墨烯超晶格中電子輸運(yùn)和散粒噪聲.pdf

1、近年來(lái)，納米材料已成為非常熱門(mén)的研究領(lǐng)域之一，它是一門(mén)研究納米尺度(0～100nm)為基本單元的材料所具有的性質(zhì)的學(xué)科.石墨烯的發(fā)現(xiàn)使得科學(xué)界對(duì)碳納米材料的研究達(dá)到高峰，其中石墨烯中的電子輸運(yùn)性質(zhì)的研究是當(dāng)前研究領(lǐng)域之一.本文我們?cè)O(shè)計(jì)了Thue-Morse序列石墨烯超晶格模型和磁場(chǎng)下第五代Thue-Morse序列石墨烯超晶格模型，利用傳遞矩陣方法研究了這兩種模型中的電子輸運(yùn)性質(zhì)和散粒噪聲.得到的主要結(jié)果概述如下:
　　 首先我們

2、研究了Thue-Morse序列石墨烯超品格中的電子輸運(yùn)和散粒噪聲.計(jì)算結(jié)果表明:Klein佯謬在垂直入射情況下發(fā)生，隧穿幾率在斜入射時(shí)依賴于體系勢(shì)壘寬度和高度.零平均波數(shù)隙敏感依賴于勢(shì)壘寬度而微弱依賴于入射角度，其它Bragg隙不但敏感依賴于勢(shì)壘寬度而且依賴于入射角度.隨著勢(shì)壘寬度或高度的增大，電導(dǎo)最小值所對(duì)應(yīng)的費(fèi)米能量向高能方向移動(dòng)，在狄拉克點(diǎn)處的Fano因子恒為1/3。
　　 其次我們研究了磁場(chǎng)下第五代Thue-Morse序

3、列石墨烯超晶格中的電子輸運(yùn)和散粒噪聲.計(jì)算結(jié)果表明:存在磁場(chǎng)時(shí)，隧穿幾率不再關(guān)于θ=0對(duì)稱(chēng)，隨著磁場(chǎng)強(qiáng)度的增大，隧穿幾率向小角度方向移動(dòng)，其峰值數(shù)目減少.只增大A勢(shì)壘的高度時(shí)，隧穿隙向高能方向移動(dòng)，隧穿隙寬度(△E)保持不變;只增加磁場(chǎng)強(qiáng)度時(shí)，隧穿隙位置不變，而其寬度逐漸變大.無(wú)缺陷時(shí)，隨著磁場(chǎng)強(qiáng)度的增大，電導(dǎo)最小值減小，F(xiàn)ano因子最大值增大;存在缺陷時(shí)，隧穿隙、電導(dǎo)和Fano因子都發(fā)生突變，狄拉克點(diǎn)處的隧穿隙和電導(dǎo)出現(xiàn)一個(gè)尖銳的峰值