非晶銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管在光照及電應(yīng)力下的退化研究.pdf

1、本研究主要提出了一個統(tǒng)一的退化模型來解釋非晶銦鎵鋅氧化物（a-IGZO）薄膜晶體管在不同光照及電應(yīng)力下的退化行為。在提出的統(tǒng)一退化模型中，光激發(fā)的雙離化氧空位（Vo2+）缺陷及其在電場中的傳輸機制是引起器件閾值電壓（Vth）漂移的兩個關(guān)鍵因素。同時，光激發(fā)的Vo2+周圍會有附加的缺陷態(tài)產(chǎn)生，從而影響器件的亞閾值特性。隨后做了一系列a-IGZO TFT器件在藍(lán)光光照及電應(yīng)力下的可靠性實驗，包括：單獨電應(yīng)力，單獨光照，正偏光照（PBIS），

2、負(fù)偏光照（NBIS）。器件的退化現(xiàn)象在不同的應(yīng)力下各不相同。正柵壓應(yīng)力（PBS）下，器件的轉(zhuǎn)移曲線有個正向的平移；負(fù)柵壓應(yīng)力（NBS）下，器件不退化；單獨光照下，器件的轉(zhuǎn)移曲線負(fù)向漂移，并伴有亞閾值區(qū)域的退化；PBIS情況下，轉(zhuǎn)移曲線正向移漂，并伴有亞閾值區(qū)域的退化；NBIS情況下，轉(zhuǎn)移曲線負(fù)向移漂，亞閾值區(qū)域有嚴(yán)重的退化。雖然不同應(yīng)力下退化現(xiàn)象不同，但是都能用我們提出的統(tǒng)一模型作很好的解釋。此外研究了a-IGZO TFT器件在不同波長