高壓互連結(jié)構(gòu)研究與設(shè)計.pdf

1、高壓互連(HVI)是功率集成電路(PIC)中的重要技術(shù)，隨著PIC在結(jié)構(gòu)功能上的發(fā)展和應(yīng)用范圍上的增大，人們對功率集成電路中的高壓互連技術(shù)的要求也與日俱增。本文圍繞高壓互連技術(shù)進行研究，重點研究高壓互連技術(shù)和Divided RESURF結(jié)構(gòu)。主要研究內(nèi)容如下：
　　1、通過建立模型研究了高壓互連線對器件的影響，并總結(jié)了包括厚絕緣層技術(shù)、降場層技術(shù)、場板技術(shù)。厚絕緣層技術(shù)增加了HVI與硅表面之間的距離；降場層技術(shù)引入了額外的經(jīng)過優(yōu)化

2、的摻雜區(qū)域來輔助HVI下方的漂移區(qū)的耗盡。場板技術(shù)通過多種多樣的場板結(jié)構(gòu)來屏蔽HVI的影響。自屏蔽技術(shù)讓HVI避免跨過高壓結(jié)終端，從而不再需要額外的隔離結(jié)構(gòu)。
　　2、通過仿真探究互連線對RESURF器件的影響因素，并根據(jù)仿真結(jié)果設(shè)計了包括：一種窄線寬的高壓互連結(jié)構(gòu)、一種部分場板屏蔽的高壓互連結(jié)構(gòu)、一種多片式高壓互連結(jié)構(gòu)等新型高壓互連結(jié)構(gòu)。
　　3、使用Divided RESURF技術(shù)設(shè)計一種橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)