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1、當(dāng)瓷懸式絕緣子內(nèi)部有裂紋時(shí)在正常電壓下易于發(fā)生內(nèi)部擊穿,形成零值絕緣子,零值絕緣子的放電及發(fā)熱特性與正常絕緣子有很大不同,并且零值絕緣子亦會(huì)影響整串絕緣子放電與發(fā)熱特性,目前針對(duì)零值絕緣子發(fā)熱及放電特性以及零值絕緣子對(duì)絕緣子串發(fā)熱與放電特性影響的相關(guān)研究相對(duì)較少,對(duì)此論文研究了基于紅外與紫外成像法的零值絕緣子發(fā)熱與放電特性研究。具體工作如下:
研究了紫外檢測(cè)放電量化參數(shù)提取算法,采用數(shù)字圖像處理技術(shù)對(duì)紫外圖像進(jìn)行灰度化、圖像分
2、割、開閉運(yùn)算及小面積消除濾波,實(shí)現(xiàn)放電特征參數(shù)的提取,并采用Radon投影變換算法得到了沿絕緣子軸向的放電強(qiáng)度空間曲線,有助于分析多放電區(qū)域的放電強(qiáng)度分布。
利用紅外成像與紫外成像法研究了不同鹽密以及不同濕度條件下,含有一片零值絕緣子絕緣子串的放電及發(fā)熱特性,發(fā)現(xiàn)干污狀態(tài)下,絕緣子的發(fā)熱與鹽密關(guān)系不大,并且零值絕緣子基本無溫升,且與相鄰絕緣子的溫升相差1℃~3℃,而越靠近高壓側(cè),對(duì)整串絕緣子的發(fā)熱及電壓分布影響越大,反之亦然。
3、在濕污時(shí),零值絕緣子的瓷件溫升與不發(fā)生放電的正常絕緣子的瓷件溫升基本相同,因此紅外在濕污時(shí)檢測(cè)不敏感,而通過紫外檢測(cè)絕緣子放電發(fā)現(xiàn),在鹽密較小時(shí),零值絕緣子的相鄰絕緣子易發(fā)生放電。因此可以通過紫外實(shí)現(xiàn)對(duì)零值絕緣子的定性判斷。
為驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)的準(zhǔn)確性,論文對(duì)絕緣子進(jìn)行了電場(chǎng)及溫度場(chǎng)的仿真,仿真發(fā)現(xiàn)干污時(shí)絕緣子電場(chǎng)主要分布于絕緣子內(nèi)部,且零值絕緣子越靠近高壓側(cè)對(duì)整串絕緣子的電位影響越大,反之亦然,而且零值絕緣子瓷件基本無溫升。在濕污時(shí)
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