

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、近半個(gè)世紀(jì)來,隨著計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)技術(shù)及芯片加工技術(shù)的不斷進(jìn)步,計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的CPU性能與IO性能的差距不斷擴(kuò)大。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)IO性能的瓶頸在于硬盤。這些年雖然磁盤容量有了迅速提升,但由于其存在機(jī)械旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu),訪問速度提升有限,使得基于硬盤的存儲(chǔ)系統(tǒng)成為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的性能瓶頸之一。相比于傳統(tǒng)的硬盤,固態(tài)硬盤呈現(xiàn)出許多優(yōu)良的性能:低功耗,讀寫速度快,防震抗摔性好,無噪音,重量輕等,因此固態(tài)硬盤在許多領(lǐng)域已經(jīng)開始替代傳統(tǒng)硬盤。然而,固態(tài)硬盤也繼承閃存
2、的缺點(diǎn),包括讀寫不對(duì)稱、寫前擦除、有限的擦除次數(shù)等。本文主要研究固態(tài)硬盤設(shè)計(jì)中的緩沖區(qū)管理算法和閃存轉(zhuǎn)換層算法,以減少對(duì)固態(tài)硬盤的寫和擦除次數(shù)。
在緩沖區(qū)管理算法設(shè)計(jì)中,本文提出了一種面向頁級(jí)FTL的緩沖區(qū)管理算法——VBBMS(Virtual-Block-based Buffer Management Scheme)。首先,VBBMS將RAM分成隨機(jī)請(qǐng)求處理區(qū)和連續(xù)請(qǐng)求處理區(qū),分別用來處理隨機(jī)請(qǐng)求和連續(xù)請(qǐng)求;其次,VBBMS
3、采用虛擬塊技術(shù),盡可能存儲(chǔ)訪問頻率高的數(shù)據(jù),并且對(duì)隨機(jī)請(qǐng)求進(jìn)行重構(gòu),將隨機(jī)的、小的請(qǐng)求變成順序的、大的連續(xù)請(qǐng)求發(fā)送給SDFTL,以減少閃存的讀寫次數(shù)和優(yōu)化垃圾回收的效率;最后,連續(xù)請(qǐng)求處理區(qū)通過預(yù)取數(shù)據(jù),利用請(qǐng)求的空間局部性,增加了緩沖區(qū)的命中率,進(jìn)一步了提升系統(tǒng)的整體性能。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,平均而言,VBBMS相比BPLRU算法,緩沖區(qū)命中率提高20.92%,響應(yīng)時(shí)間減少23.93%,塊擦除次數(shù)減少13.38%;相比CFLRU算法,緩沖區(qū)
4、命中率提高29.33%,響應(yīng)時(shí)間減少28.09%,塊擦除次數(shù)減少48.77%;相比頁級(jí)LRU算法,緩沖區(qū)命中率提高44.16%,響應(yīng)時(shí)間減少33.70%,塊擦除次數(shù)減少55.75%。
在閃存轉(zhuǎn)換層算法設(shè)計(jì)中,本文提出一種基于分類處理的聚簇頁級(jí)閃存轉(zhuǎn)換層算法——CPFTL(Clustered Page-level Flash Translation Layer)。首先,CPFTL將地址映射緩存分為熱映射表緩存、冷映射表緩存和連續(xù)
5、映射表緩存,分別用來緩存訪問頻繁的請(qǐng)求的映射項(xiàng)、訪問不頻繁的請(qǐng)求的映射項(xiàng)和高空間本地性的請(qǐng)求的映射項(xiàng),有效提升了各類請(qǐng)求的處理能力。其次,為利用連續(xù)請(qǐng)求的空間本地性,CPFTL的連續(xù)映射表緩存預(yù)取多個(gè)連續(xù)的映射項(xiàng),提高它對(duì)連續(xù)請(qǐng)求的響應(yīng)性能。最后,為減少頁級(jí)映射算法的轉(zhuǎn)換頁讀寫開銷,CPFTL的冷映射表緩存采用聚簇策略,即將屬于同一轉(zhuǎn)換頁中的映射項(xiàng)進(jìn)行聚簇,按簇進(jìn)行LRU管理,當(dāng)冷映射表緩存滿時(shí),根據(jù)簇的映射項(xiàng)個(gè)數(shù)和LRU選取合適的簇剔
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 基于RAID5的閃存固態(tài)盤陣列關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf
- 基于大容量NAND閃存文件系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf
- 基于閃存固態(tài)盤的內(nèi)存交換技術(shù)研究.pdf
- 固態(tài)盤閃存轉(zhuǎn)換層優(yōu)化技術(shù)研究.pdf
- 基于FPGA的智能閃存固態(tài)盤研究.pdf
- 基于NAND閃存的固態(tài)存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)及優(yōu)化.pdf
- 閃存文件系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf
- 固態(tài)存儲(chǔ)陣列關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf
- 基于NAND Flash的星載固態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)研究.pdf
- 閃存陣列構(gòu)建與優(yōu)化的關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf
- 大規(guī)模閃存固態(tài)存儲(chǔ)并行訪問控制關(guān)鍵技術(shù)的研究與實(shí)現(xiàn).pdf
- 高壓固態(tài)開關(guān)關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf
- 固態(tài)硬盤設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf
- 微波固態(tài)功率合成關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf
- 固態(tài)太赫茲前端關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf
- 新型固態(tài)限流器關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf
- 閃存數(shù)據(jù)庫管理系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf
- 面向NAND閃存的SQLite數(shù)據(jù)恢復(fù)技術(shù)研究與應(yīng)用.pdf
- 基于固態(tài)納米孔基因測(cè)序的關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf
- 基于閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)安全讀寫通路關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論