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文檔簡介
1、介質(zhì)/金屬/介質(zhì)多層薄膜(D/M/D),既具有較好的光學性能和電學性能,又能保證制備過程及工藝的簡單與環(huán)保,因此可以作為新型透明導電電極,替代目前雖被廣泛應用但具有一定毒性且成本較高的ITO膜。但在實際應用中,還需要進一步改善介質(zhì)/金屬/介質(zhì)多層復合膜的光透過率和導電性能,才能使其得到廣泛應用。本文先制備TiO2/Ag/TiO2復合薄膜,再采用氬等離子體輻照的方式,來提高TiO2/Ag/TiO2復合膜系的光電性能。圍繞該主題,本文主要開
2、展以下工作:
首先,本文采用真空蒸發(fā)鍍的方法制備納米Ag薄膜,再使用氬等離子體輻照Ag膜。之后測試氬等離子體輻照對薄膜表面形貌、可見光波段吸收譜及薄層電阻的影響。結(jié)果表明氬等離子體輻照可以明顯提高納米Ag薄膜的導電性,甚至使原來不導電的納米Ag薄膜具有導電性。同時,氬等離子輻照還可以在一定程度上提高Ag膜的光透過率。氬等離子體輻照提高Ag膜的光電性能之后,Ag膜更適合作為TiO2/Ag/TiO2復合薄膜的中間膜層。
3、然后,利用真空蒸發(fā)鍍膜沉積TiO2/Ag/TiO2復合薄膜,通過控制Ag和TiO2的膜層厚度制備出具有高導電性和高透過率的透明導電薄膜。并使用氬等離子體輻照TiO2/Ag/TiO2薄膜中的Ag膜層,進一步提高TiO2/Ag/TiO2薄膜的光透過率及導電性。最后結(jié)合SEM圖像分析了氬等離子體輻照對此類“三明治”結(jié)構(gòu)復合薄膜光電性能的具體作用和影響。結(jié)果表明采用本文氬等離子體輻照方法處理之后的TiO2/Ag/TiO2復合膜擁有良好的導電性和
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