刻蝕機腔室結(jié)構(gòu)特性分析與工藝性能參數(shù)優(yōu)化.pdf

1、刻蝕是半導體工藝的核心技術(shù)。隨著晶圓半徑的增大及其特征尺寸的不斷減小,對刻蝕工藝提出了越來越高的要求。本文以最新開發(fā)的18英寸濕法刻蝕腔室為對象,研究了包含干法刻蝕的圓筒式腔室內(nèi)流場、熱場及化學場的耦合關(guān)系,分析了不同的結(jié)構(gòu)和工藝參數(shù)對刻蝕腔室內(nèi)流速、壓強、溫度場的影響規(guī)律,主要完成了以下研究內(nèi)容:
　　研究刻蝕機結(jié)構(gòu)、工作原理及流體力學方程、邊界條件方程和分析氫氟酸刻蝕二氧化硅工藝的工藝過程,提出了刻蝕速率和刻蝕不均勻性(刻蝕工

2、藝指標)估算公式,其由耗散系數(shù)、物質(zhì)轉(zhuǎn)換系數(shù)、物質(zhì)量通量、晶格結(jié)構(gòu)共同組成;耦合熱場、流場、化學場,研究單因素參數(shù)對工藝指標的影響,得到了其對刻蝕特性的分布規(guī)律。
　　為獲得多因素參數(shù)和刻蝕工藝的響應數(shù)學函數(shù),定量分析多因素對刻蝕的決定性作用,研究響應面法、中心組合設(shè)計、遺傳算法提出了基于響應面的自適應遺傳算法。分析了入口流量、入口半徑、阻尼板滲透系數(shù)、噴淋板滲透系數(shù)等因素與刻蝕工藝性能的映射關(guān)系,得到了最優(yōu)的刻蝕工藝需要的結(jié)構(gòu)參