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文檔簡介
1、由于鐵電薄膜材料具有良好的鐵電性、熱釋電性、壓電性、電光以及非線性光學(xué)特性,被廣泛應(yīng)用于存儲器、壓力傳感器、制動器等電子器件中;由于鐵電材料的制備工藝簡單、成本低等特點(diǎn)倍受青睞,所以近年來鐵電材料成為國際上新型功能材料研究的熱點(diǎn)之一。最近,如Pb(Zr,Ti)O3(PZT)、(Bi,Nd)4Ti3O12(BNT)、BaTiO3以及 BiFeO3(BFO)鐵電體的光伏機(jī)制引起廣泛的關(guān)注。許多小組在研究鐵電光伏效應(yīng)以及提高基于鐵電的太陽能電
2、池的光伏輸出。據(jù)公開報導(dǎo),BFO被報道擁有最大的開路電壓(Voc,大于15V),然而,BFO的短路電流(Jsc)非常低(大約μA/cm2量級)。迄今為止,在以鐵電為基礎(chǔ)的太陽能電池中,由于擁有大的剩余極化以及在薄膜電極界面處高的肖特基勢壘,PZT薄膜具有最大的光電轉(zhuǎn)換效率(η)。然而,報道的純PZT的最大轉(zhuǎn)換效率(約0.01%)依然遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于晶體硅太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率,這主要是因?yàn)殍F電體的導(dǎo)電性能差和禁帶寬度大的原因。
本文主要
3、工作包括以下兩個方面:
(1)為了提高典型的寬帶隙鐵電材料在可見光波段有光譜響應(yīng),我們嘗試將能級匹配的半導(dǎo)體材料和鐵電薄膜材料復(fù)合起來。具體方法如下:
在In2O3:Sn(ITO)玻璃上制備禁帶寬度3.6eV的PZT薄膜,然后將窄禁帶寬度(1.8eV)的非晶硅(a-Si)沉積在PZT/ITO/glass上,Ag作為上電極。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,非晶硅薄膜與 PZT薄膜的能級能很好地相匹配,有利于紫外可見光照誘導(dǎo)Ag/a-Si
4、/PZT/ITO/glass樣品中的電荷的傳輸。光伏輸出可以通過改變非晶硅的摻雜類型調(diào)整,PZT薄膜和n型非晶硅薄膜(磷摻雜)復(fù)合結(jié)構(gòu)最大的光電轉(zhuǎn)換效率測量能達(dá)到1.25%。
?。?)離子摻雜被認(rèn)為是一種很有效的方法來提高鐵電薄膜的剩余極化和降低其結(jié)晶溫度。
本文中,我們研究了Cr3+離子的摻雜濃度對Pb(Zr0.2Ti0.8)O3鐵電薄膜的微結(jié)構(gòu)、鐵電性和光伏特性的影響。我們的實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,當(dāng)Cr3+離子濃度小于1%
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