CdSe基量子點發(fā)光二極管的制備和光電特性研究.pdf

1、量子點在生物技術、太陽能電池和發(fā)光二極管等方面的應用引起了廣泛關注。基于膠體量子點的發(fā)光二極管（quantum dot light-emitting diodes, QLED）具有啟亮電壓低、發(fā)光單色性好、低能耗、發(fā)光顏色可通過量子點尺寸調節(jié)和低成本的溶液法制備等優(yōu)點，在顯示領域和固態(tài)照明領域具有巨大的應用潛力。但仍需要提高 QLED的亮度和器件的壽命才能達到商業(yè)化應用。目前，提高器件性能的主要途徑包括設計新的器件結構、發(fā)展新的量子點和

2、傳輸材料以優(yōu)化載流子的注入。本文主要從載流子傳輸層和量子點層對 QLED性能的影響兩方面出發(fā)進行系統(tǒng)研究，主要內容如下：
　　1.無機載流子傳輸層能避免有機載流子傳輸層在空氣中的氧化和分解。采用溶液旋涂法成功制備出全無機載流子傳輸層的QLED。結合對載流子傳輸層的表征和對QLED光電特性測試，分析了全無機載流子傳輸層QLED發(fā)光效率低的原因。溶液法制備全無機載流子傳輸層QLED為低成本制備全無機QLED提供了方向。
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3、采用傳統(tǒng)混合傳輸層的器件結構，分別研究了不同電子傳輸層和空穴傳輸層對QLED性能的影響。對于電子傳輸層，比較了ZnO和TiOx分別作為電子傳輸層對器件性能的影響。結果表明ZnO器件比TiOx器件電流密度更小，同時ZnO器件比TiOx器件具有更高的亮度和更低的啟亮電壓。對于空穴傳輸層，比較了聚四苯基聯(lián)苯胺(Poly-TPD)與聚乙烯咔唑(PVK)分別作為空穴傳輸層對 QLED性能的影響，并分別向其中摻入小分子有機物四苯基聯(lián)苯胺(TPD)對

4、載流子遷移率和能帶進行調節(jié)。結果表明Poly-TPD器件比PVK器件性能更優(yōu)，然而摻入小分子TPD后器件性能降低。結合載流子傳輸層自身的材料特性，對 QLED光電特性測試結果進行分析。
　　3.合金量子點與核殼量子點相比，有利于載流子的注入和激子的限制。我們采用一步法合成了CdSeZnS成分梯度合金量子點，并對量子點進行表征。表征結果顯示合成的CdSeZnS合金量子點顆粒尺寸分布均勻，光致發(fā)光譜的發(fā)射峰為481 nm。將合成的Cd