InAl GaN-Al GaN復合勢壘層的GaN異質結構研究.pdf

1、GaN基半導體在高電子遷移率晶體管 HEM T器件具有無可比擬的優(yōu)勢，特別是表現(xiàn)出極高的微波功率密度、高效率、寬帶寬等。GaN基HEMT器件通常采用AlGaN/GaN異質結構，該異質結構能夠形成高密度和高遷移率的二維電子氣，這是器件優(yōu)越特性的關鍵。為了進一步提高GaN基異質結構的二維電子氣特性，InAlN/GaN和InAlGaN/GaN異質結構近年來開始被大家關注，因其具有比AlGaN/GaN異質結構更高的二維電子氣密度。然而由于In原

2、子在生長中容易形成團簇現(xiàn)象，所以導致這兩種含In的GaN基異質結構二維電子氣遷移率受到限制，明顯不及AlGaN/GaN異質結構。
　　為了將AlGaN/GaN和InAlGaN/GaN兩種異質結構的優(yōu)勢相結合，本文重點開展了InAlGaN/AlGaN復合勢壘層的GaN基異質結構研究。本文的主要工作有：
　　1、采用脈沖式PMOCVD生長方法代替常規(guī)MOCVD生長方法，通過對比研究發(fā)現(xiàn)，PMOCVD生長得到的InAlGaN/Ga

3、N異質結構具有更好的結晶質量和表面形貌。
　　2、成功生長出高性能的InAlGaN/AlGaN/GaN復合勢壘層的異質結構，通過與AlGaN/GaN和InAlGaN/GaN異質結構的對比表明，其中載流子面密度可以提升至1.85×1013cm-2，而電子遷移率和材料方阻分別可達1900cm2/Vs和205ohm/sq，說明InAlGaN/AlGaN/GaN異質結構具有更好的二維電子氣特性。
　　3、發(fā)現(xiàn)并研究了InAlGaN/

4、AlGaN/GaN異質結構表面圓形位錯坑的形成機制及其對材料PL譜的影響機制進行了分析。
　　4、研究了不同AlGaN層厚度對 InAlGaN/AlGaN/GaN異質結構的光學和電學特性的影響規(guī)律。研究發(fā)現(xiàn)，當AlGaN層厚度增加導致InAlGaN勢壘層層的張應變增大的同時，InAlGaN勢壘層能夠自適應地調節(jié)其組分，從而降低其張應變。實驗發(fā)現(xiàn)，AlGaN層厚度和InAlGaN層中Al組分的變化會對二維電子氣密度和電子遷移率造成顯