InGaN基太陽能電池的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及極化效應(yīng)研究.pdf

1、InGaN基太陽能電池的理論效率很高，但是實(shí)際制作的器件性能都比較差，其中既有InGaN材料質(zhì)量的問題，也有器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面的問題。此外由于其特殊的晶體結(jié)構(gòu)，InGaN材料具有很強(qiáng)的極化效應(yīng)，對(duì)太陽能電池性能產(chǎn)生很大的影響。因此，器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、材料缺陷和極化效應(yīng)的研究對(duì)InGaN太陽能電池有著重要意義。論文主要內(nèi)容如下:
　　對(duì)含有帶尾缺陷的單結(jié)p-In0.65Ga0.35N/n-In0.65Ga0.35N太陽電池進(jìn)行模擬，模擬表

2、明:隨著帶尾態(tài)俘獲截面的增大，將引起開路電壓和短路電流的顯著降低，當(dāng)俘獲截面為10-14cm-2時(shí)，InGaN單結(jié)太陽電池的效率從理想值24.12％下降到12.76％。
　　對(duì)p-GaN/i-InxGa1-xN/n-GaN雙異質(zhì)結(jié)太陽能電池進(jìn)行結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)，通過仿真發(fā)現(xiàn)本征In組分在0.26時(shí)，電池效率達(dá)到最大值8.90％。同時(shí)，對(duì)含有帶尾缺陷的p-GaN/i-In0.26Ga0.74N/n-GaN太陽電池進(jìn)行仿真模擬，當(dāng)俘獲截面