ZnO薄膜摻雜及其性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、ZnO是一種新型直接寬帶隙半導體,可以通過不同元素摻雜改性以滿足不同的應(yīng)用需要。本文開展的主要工作如下:
  1、以ZnO、MnO2和Cu2O的超細粉末為原材料,用固相反應(yīng)法燒結(jié)為靶材,之后采用電子束蒸發(fā)法制備Mn單摻及Mn-Cu共摻雜的Zn1-xMnxO和Zn1-xMnx-yCuyO薄膜。XRD顯示Mn單摻的Zn0.95Mn0.05O呈單一的六方纖鋅礦結(jié)構(gòu);當Mn含量達到10 at%時,有MnO2析出。Mn-Cu共摻的Zn0.9

2、5Mn0.04Cu0.01O和Zn0.9Mn0.09Cu0.01O都為單一的六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)。M-H曲線顯示室溫下Zn0.95Mn0.05O為順磁性,Zn0.9Mn0.09Cu0.01O和Zn0.95Mn0.04Cu0.01O為鐵磁性,飽和磁化強度分別為0.015 emu/g和0.03 emu/g。根據(jù)Zn0.9Mn0.09Cu0.01O和Zn0.95Mn0.04Cu0.01O的M-T曲線可推測出兩者的居里溫度均高于室溫,并解釋了Mn-C

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